魏汝省
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 高真空下合成生长单晶用高纯碳化硅粉料被引量：6
- 2017年
- 采用自蔓延法合成单晶生长用高纯SiC粉料,特别地,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,随后利用所合成的碳化硅粉料进行了碳化硅单晶生长。利用XRD、Raman光谱、SIMS(二次离子质谱仪)和非接触式电阻率测试仪等测试手段对合成粉料的物相、晶型以及碳化硅单晶的纯度和电阻率等参数进行了表征。研究发现,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,有助于高纯SiC粉料纯度的提升,特别是N浓度的降低。此外,高真空条件下合成的高纯碳化硅粉料有利于高纯半绝缘碳化硅单晶生长。
- 李斌马康夫王英民魏汝省毛开礼徐伟
- 关键词：高真空碳化硅粉料
- 利用侧向生长机制在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC
- 2017年
- 引入了一种采用升华外延法在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC的方法,提出了3C-SiC薄膜的生长模型,通过控制实现原位立方相3C成核,再沿台阶流方向侧向扩展3C-SiC单晶区域。连续多批次生长1 mm厚高质量3C-SiC样品,证明了该生长工艺的稳定性及重复性,XRD摇摆曲线半高宽(FWHM)34″~48″,表明结晶质量非常好。低温光致发光谱同样显示高结晶质量,残余N浓度(1~2)×1016 cm-3。这种3C-SiC材料的生长理念可以用于均匀3C-SiC薄膜材料制备或者为3C-SiC体块单晶生长提供籽晶。
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- 通H_2合成生长单晶用高纯碳化硅粉料被引量：4
- 2016年
- 采用碳硅直接反应并在生长过程中通氢气的方法来合成单晶生长用高纯Si C粉料。利用XRD、Raman、粒度测试仪和GDMS(辉光放电质谱仪)等测试手段来对合成粉料的物相、晶型、粒度和纯度等参数进行了表征。最后利用生长过程中通H2合成的碳化硅粉料进行了碳化硅单晶生长,并采用SIMS(二次离子质谱仪)和非接触式电阻率测试仪对碳化硅单晶的纯度以及电学性质进行了表征。发现生长过程中通H2有利于高纯Si C粉料纯度的提升,此外,通H2合成的高纯碳化硅粉料有利于高纯半绝缘碳化硅单晶的生长。
- 马康夫王英民李斌魏汝省
- 关键词：高纯碳化硅粉料
- 15.24cm(6英寸)高纯半绝缘4H-SiC单晶生长被引量：1
- 2016年
- SiC单晶是第三代半导体核心材料之一,具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电场和高电子饱和迁移速率等,特别适合制作高密度集成的微电子器件和工作在高温、高频、高压、大功率和强辐射等极端条件下功率电子器件[1-3]。基于SiC单晶衬底制备的GaN/SiCHEMT微波器件主要应用于军事领域,为了克服与衬底材料有关的寄生电容引起的信号损失,必须采用绝缘或者半绝缘衬底,
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- 关键词：半绝缘单晶生长功率电子器件微电子器件高热导率第三代半导体
