王月飞
- 作品数：13 被引量：12H指数：2
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>
- 一种有机无机复合结构自驱动日盲紫外探测器及制备方法
- 本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种基于有机无机复合结构的p‑n结自驱动日盲紫外探测器及其制备方法。本发明器件结构包括：衬底、n型氧化镓微米线、p型有机导电聚合物纳米薄膜，以及在p、n型层上制备的金属接触电极。本发...
- 陈洪宇王月飞 王贺彬李炳生
- 文献传递
- 热氧化Zn<Sub>3</Sub>N<Sub>2</Sub>：III族元素制备p-型氧化锌的方法
- 热氧化Zn<Sub>3</Sub>N<Sub>2</Sub>：III族元素制备p‑型氧化锌的方法，涉及一种制备p‑型氧化锌的方法。本发明是为了解决现有的p‑型氧化锌掺杂时存在自补偿效应、受主的固溶率低、受主在氧化锌中不稳...
- 李丽李炳生王月飞宋东宇
- 文献传递
- 基于Se和有机无机钙钛矿异质结的宽光谱光电探测器制备及其光电特性研究被引量：7
- 2019年
- 针对目前高效、稳定的p型掺杂一直较难实现的问题,本文采用化学气相沉积方法制备出了高结晶质量的p型半导体材料Se微米线。同时,还制备出了基于单根Se微米线的光电探测器,其在紫外和可见光波段有较宽的响应范围,响应截止边为675 nm。该器件在5 V偏压下的峰值响应度可达2.8 mA/W(600 nm)。在此基础上,利用p型Se微米线与钙钛矿材料CH3NH3PbC l3制备了p-n结型器件,与单根Se微米线光电探测器相比,响应时间和响应度都有明显提升,尤其是异质结的响应度比纯Se微米线提高了850%。这一研究结果说明本文制备的有机无机复合结构p-n结非常有望应用到高性能光电探测器中。
- 陈洪宇王月飞闫珺李林王贺彬卞万朋李炳生
- 关键词：P型半导体钙钛矿
- CH3NH3PbBr3表面修饰对SnO2基光电探测器性能的影响被引量：2
- 2019年
- SnO 2基紫外探测器具有较高的光响应度,但由于材料存在持续光电导效应,其响应时间较长,限制了其在光电探测领域的应用。为此,我们研究了表面修饰对SnO 2基光电探测器件的性能影响。采用化学气相沉积的方法制备了高结晶质量的SnO 2微米线,并在此基础上制备了基于单根SnO 2微米线的光电探测器。同时制备了高质量的钙钛矿CH 3NH 3PbBr 3材料,并与SnO 2微米线结合制备出经过修饰的SnO 2基器件。两种器件在紫外波段都呈现出明显的光响应,响应峰值位于250 nm处。相比单根SnO 2微米线器件,经过修饰后的SnO 2微米线探测器的响应度提高了10倍,响应时间由单根SnO 2微米线器件的几百乃至上千秒缩短为0.9 s。这一研究结果说明我们所采用的方法非常有望应用到高性能SnO 2光电探测器的制备中。
- 陈洪宇卞万朋王月飞闫珺李林王贺彬李炳生
- 关键词：光电探测器SNO钙钛矿CH
- Al-N共掺杂ZnO薄膜的制备及其光电性质的研究
- 氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，室温下氧化锌的禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能为60 me V，远高于室温离化能(26 me V)，使得其可以在室温或者更高温度下实现激子发光。氧化锌要实现在光电器件领域的广泛应...
- 王月飞
- 关键词：氧化锌P型掺杂热氧化法光电性质
- 文献传递
- 一种有机无机复合结构自驱动日盲紫外探测器及制备方法
- 本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种基于有机无机复合结构的p‑n结自驱动日盲紫外探测器及其制备方法。本发明器件结构包括：衬底、n型氧化镓微米线、p型有机导电聚合物纳米薄膜，以及在p、n型层上制备的金属接触电极。本发...
- 陈洪宇王月飞 王贺彬李炳生
- 一种氧化镓微米线的制备方法
- 本发明公开了一种氧化镓微米线的制备方法，涉及化学材料制备技术领域，包括：一、将氧化镓和碳粉混合，研磨，得到混合粉末；二、取步骤一得到的混合粉末放入刚玉舟中，将衬底置于刚玉舟正上方，然后放入洁净的石英管中，将石英管放入水平...
- 李炳生王贺彬王月飞李丽陈洪宇
- 文献传递
- 热氧化Zn<Sub>3</Sub>N<Sub>2</Sub>：III族元素制备p-型氧化锌的方法
- 热氧化Zn<Sub>3</Sub>N<Sub>2</Sub>：III族元素制备p-型氧化锌的方法，涉及一种制备p-型氧化锌的方法。本发明是为了解决现有的p-型氧化锌掺杂时存在自补偿效应、受主的固溶率低、受主在氧化锌中不稳...
- 李丽李炳生王月飞宋东宇
- 文献传递
- β-Ga2O3超宽带隙半导体异质结构筑及其紫外光电探测的研究
- 近年来,在高灵敏度紫外光电探测需求的推动下,响应波长位于深紫外区的新一代超宽带隙半导体材料受到了许多的关注。在超宽带隙半导体材料中,单斜相氧化镓（β-Ga2O3）的禁带宽度约4.9 e V,光吸收边波长位于日盲紫外区,在...
- 王月飞
- 关键词：光电探测氧化镓异质结
- InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及其高响应度广光谱光电探测器（英文）被引量：3
- 2019年
- 为了实现紫外-可见波段的高响应度/低成本的广光谱光电探测,我们制备了基于一维p型Se微米线与二维n型InSe纳米片的混维范德瓦尔斯异质结广光谱探测器。得益于Se微米线与二维层状结构InSe纳米片的高结晶质量,该器件在紫外-可见光广光谱范围都具有非常高的响应度,该器件的响应截止边为700 nm。值得指出的是,该器件在-5 V的偏压下,对460 nm的光源响应度可以达到108 mA/W,该数值比原来的Se探测器高了800%。这项研究有利于拓展我们对范德瓦尔斯异质结的认识,也为今后制备高性能的低维光电探测器提供了一种新的途径。
- 陈洪宇尚慧明戴明金王月飞李炳生胡平安
- 关键词：光电探测器
