您的位置： 专家智库 > >

田甜

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域：化学工程一般工业技术历史地理电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇历史地理

主题

  • 10篇陶瓷
  • 8篇压敏
  • 8篇氧化锌
  • 7篇添加剂
  • 6篇陶瓷材料
  • 6篇改性
  • 6篇改性添加剂
  • 5篇压敏陶瓷
  • 5篇氧化锌压敏陶...
  • 4篇PR
  • 4篇BI
  • 2篇低电阻
  • 2篇电导
  • 2篇电导率
  • 2篇电阻
  • 2篇压敏陶瓷材料
  • 2篇氧化锌电阻
  • 2篇陶瓷片
  • 2篇热电材料
  • 2篇煅烧

机构

  • 17篇中国科学院

作者

  • 17篇李国荣
  • 17篇田甜
  • 16篇郑嘹赢
  • 15篇阮学政
  • 6篇曾江涛
  • 6篇满振勇
  • 4篇程丽红
  • 4篇程健
  • 3篇曾华荣
  • 3篇赵坤宇
  • 3篇肖祥凯
  • 2篇刑娟娟

年份

  • 5篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2014
共 17 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种无Bi、Pr、V的氧化锌基压敏薄膜材料及其制备方法
本发明公开一种无Bi、Pr、V的氧化锌基压敏薄膜材料及其制备方法。所述氧化锌基压敏薄膜材料以氧化锌和改性添加剂组成的陶瓷为靶材，采用磁控溅射技术在导电基底上沉积ZnO基压敏薄膜材料；所述靶材中氧化锌的含量为89.5～99...
田甜李国荣郑嘹赢阮学政时雪满振勇
文献传递
一种无Bi、Pr、V的高梯度ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种无Bi、Pr、V的高梯度ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法，所述高梯度氧化锌压敏陶瓷材料由氧化锌和改性添加剂组成，其中氧化锌的含量为87.5～99.69mol%，改性添加剂的含量为0.31～12.5mol%，摩...
田甜李国荣郑嘹赢曾江涛阮学政
文献传递
一种高性能氧化锌电阻陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种高性能氧化锌电阻陶瓷材料及其制备方法，所述氧化锌电阻陶瓷材料的制备方法包括：（1）将ZnO粉体、In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体、MgO粉体和TiO<Sub>2</Sub>粉体混合...
李国荣陈曦田甜曾江涛郑嘹赢阮学政满振勇
文献传递
一种高功率因子氧化锌热电材料及其制备方法
本发明涉及一种高功率因子氧化锌热电材料及其制备方法，该高功率因子氧化锌热电材料由氧化锌和添加剂组成，其中氧化锌的含量为97.2～99.7 wt%，添加剂的含量为0.3～2.8wt%；所述的添加剂由Al<Sub>2</Su...
李国荣田甜刑娟娟郑嘹赢程丽红程健阮学政曾华荣
文献传递
一种低电阻氧化锌陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种低电阻氧化锌陶瓷材料及其制备方法，该低电阻氧化锌陶瓷材料由氧化锌和改性添加剂组成，其中氧化锌的含量为96.2～99.7wt%，改性添加剂的含量为0.3～3.8wt%；所述改性添加剂的各组成及其含量如下：Al...
李国荣田甜程丽红郑嘹赢赵坤宇肖祥凯阮学政程健
文献传递
一种有双向应变的压电驱动器材料及其制备方法
本发明提供了一种有双向应变的压电驱动器材料及其制备方法，组成通式为：Pb<Sub>x</Sub>Sr<Sub>y</Sub>Ba<Sub>(1‑x‑y)</Sub>(Ti<Sub>z</Sub>Zr<Sub>1‑z</S...
时雪阮学政田甜李国荣
一种无Bi、Pr、V的高梯度ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种无Bi、Pr、V的高梯度ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法，所述高梯度氧化锌压敏陶瓷材料由氧化锌和改性添加剂组成，其中氧化锌的含量为87.5～99.69mol%，改性添加剂的含量为0.31～12.5mol%，摩...
田甜李国荣郑嘹赢曾江涛阮学政
文献传递
一种高功率因子氧化锌热电材料及其制备方法
本发明涉及一种高功率因子氧化锌热电材料及其制备方法，该高功率因子氧化锌热电材料由氧化锌和添加剂组成，其中氧化锌的含量为97.2～99.7wt%，添加剂的含量为0.3～2.8wt%；所述的添加剂由Al<Sub>2</Sub...
李国荣田甜刑娟娟郑嘹赢程丽红程健阮学政曾华荣
文献传递
一种无铋氧化锌压敏电阻陶瓷片及其制备方法
本发明涉及一种无铋氧化锌压敏电阻陶瓷片及其制备方法。所述无铋氧化锌压敏电阻陶瓷片由ZnO、SrO和金属M的氧化物的复合相组成，其中M为Co、Mn、Si中的至少一种；所述ZnO的含量为94 mol%～99.8 mol%，所...
李国荣陈浩贤郑嘹赢田甜曾江涛陈曦
文献传递
一种ZnO陶瓷线性电阻材料及其制备方法
本发明涉及一种ZnO陶瓷线性电阻材料及其制备方法。所述ZnO陶瓷线性电阻材料选择三元体系ZnO‑MgO‑TiO<Sub>2</Sub>为基础体系，选自ZrO<Sub>2</Sub>、La<Sub>2</Sub>O<Sub...
李国荣柯腊梅田甜郑嘹赢曾江涛阮学政
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0