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董琛

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院兰州化学物理研究所更多>>
发文基金:中国科学院“百人计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇电池
  • 3篇太阳能电池
  • 2篇薄膜太阳能电...
  • 2篇DMSO
  • 2篇GAASN
  • 1篇电负性
  • 1篇原子
  • 1篇溶液法
  • 1篇太阳能
  • 1篇填充因子
  • 1篇铜锌
  • 1篇可控硅
  • 1篇活性位
  • 1篇光伏
  • 1篇光伏材料
  • 1篇光伏特性
  • 1篇硅原子
  • 1篇伏特
  • 1篇负性
  • 1篇

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇兰州空间技术...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 5篇韩修训
  • 5篇董琛
  • 3篇赵雲
  • 1篇高欣

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种实现GaAsN外延薄膜硅高效掺杂的方法
本发明公开了一种实现GaAsN外延薄膜硅高效掺杂的方法,利用外延生长手段将传统的(100)GaAs衬底改变为(n11)B GaAs衬底来外延生长硅掺杂的GaAsN材料。本发明利用(n11)B极性面(即As面)能够形成高密...
赵雲韩修训董琛
文献传递
GaInAsN光伏材料的研究进展
2016年
GaInAsN能与GaAs、Ge等重要衬底晶格匹配,并同时满足三结或四结太阳能电池的带隙要求,因而备受瞩目。但目前制备高质量的GaInAsN材料仍十分困难,主要原因在于N在GaInAs中的固溶度特别低,难以实现均匀并入,由此产生的N缺陷很大程度上降低了该材料体系的光电性能。总结了近年来GaInAsN薄膜材料应用于太阳能电池的研究进展,介绍了GaInAsN材料体系的研究历程和基本物理特性,分析了GaInAsN材料体系存在的关键问题,讨论了目前优化GaInAsN薄膜质量和太阳能电池性能的方法。在此基础之上,对GaInAsN光伏材料的研究发展趋势做了展望。
董琛韩修训孙文华高欣
关键词:GAINASN太阳能电池
一种提高GaAsN外延薄膜中N的并入量并降低间隙缺陷产生的方法
一种提高GaAsN外延薄膜中N的并入量并降低间隙缺陷产生的方法,该方法利用外延生长技术将传统[100]外延取向改变为[n11]取向能有效提高N在GaAs中的并入量、并降低间隙缺陷的产生。本发明选择具有高密度表面三键活性位...
韩修训董琛
文献传递
一种提高基于DMSO溶液法制备的铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能的方法
本发明公开了一种提高基于DMSO溶液法制备的铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能的方法,在传统的DMSO基CZTS前驱体溶液中加入与其体积比为1:2~1:50的去离子水得到优化的CZTS前驱体溶液;然后将优化的CZTS前驱体溶液...
韩修训赵雲董琛李佳佳
文献传递
DMSO溶液法制备Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜太阳能电池
Cu2ZnSn(S1-x,Sex)4 作为一种理想的太阳能电池吸收层材料,由于具备价格低廉,环保,组成元素在地壳中含量丰富,禁带宽度在1.0~1.5 eV 之间可调,且其吸收系数大于104 cm-1 等极具商业价值的优点...
赵雲韩修训李佳佳董琛
关键词:薄膜太阳能电池光伏特性
共1页<1>
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