王雨婷
- 作品数：15 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺更多>>
- 一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法
- 本发明公开了一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法，包括：在抛光硅片表面旋涂第一层聚酰亚胺膜，作为保护结构；在第一层聚酰亚胺膜表面蒸发铬金种子层，作为底金；在铬金种子层之上制备所需光刻胶图形；在具有光刻胶图形的铬金种子层之...
- 刘静伊福廷张天冲王波张新帅孙钢杰王雨婷
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- 基于磁流变技术的微孔内壁抛光装置研制及性能研究
- 2018年
- 目的基于磁流变技术研制适用于微孔内壁抛光的装置。方法利用磁流变抛光液的性质,借鉴传统的抛光原理,设计并研制了适用于微孔内壁抛光的抛光装置,并对该装置进行了一系列的性能研究。基于该微孔内壁抛光装置对多孔镍样品及平片硅样品进行了不同条件下的抛光研究,并对抛光结果进行了分析。结果此抛光装置的性能研究结果表明,该装置产生的交变磁场均匀、稳定,符合模拟预期,可用于进一步的样品抛光研究。利用此抛光装置,虽然在多孔镍样品的抛光上没有较为明显的效果,但平片硅样品的粗糙度却由1.24 nm下降至0.56 nm,具有较大改善。在平片硅样品的抛光研究中,进一步发现随着时间的增加,其粗糙度不断下降。结论自行搭建的基于磁流变技术的微孔内壁抛光装置可对平片硅进行抛光。
- 周悦王雨婷伊福廷王波刘静张天冲
- 关键词：磁流变技术抛光装置磁感应强度
- 光栅及其制备方法
- 本发明提供了一种光栅及其制备方法，其中，该方法包括：对第一衬底进行第一处理，得到带有预定结构的第一金制图形，进而得到中间掩膜板；在第二衬底上制备纳米柱阵列，并采用该中间掩膜板对所述纳米柱阵列进行第二处理，得到带有预定结构...
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- 一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法
- 本发明公开了一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法，该方法是在直径为300微米的圆形金刚石压砧面上制备出10微米宽的电极结构，该方法包括：制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版；将该镂空金属掩膜版与金刚石压砧面对准和固定，使...
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- 半导体气敏传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种半导体气敏传感器及其制备方法。该半导体气敏传感器以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，包括：硅片；制备于硅片表面的大高宽比纳米柱阵列；包裹于大高宽比纳米柱阵列的气敏材料层；制备于气敏材料层表面的插指电极。该半导体...
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- 一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法
- 本发明公开了一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法，包括：在抛光硅片表面旋涂第一层聚酰亚胺膜，作为保护结构；在第一层聚酰亚胺膜表面蒸发铬金种子层，作为底金；在铬金种子层之上制备所需光刻胶图形；在具有光刻胶图形的铬金种子层之...
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- 一种改善光刻胶脱落的方法
- 本发明公开了一种改善光刻胶脱落的方法，该方法是在衬底表面用氯化铯纳米岛自组装技术制备出合适尺寸及高度的纳米柱阵列，旋涂光刻胶后水平静置20分钟，让光刻胶充分嵌入纳米柱阵列之间。这种方法可以有效增加光刻胶与衬底的粘附力，适...
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- 一种金属微结构及其制作方法
- 本发明提供了一种金属微结构及其制作方法，其中方法首先在一平整的基片的表面涂覆一层光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影，以在基片的表面形成光刻胶图形，然后令基片发生形变，以使得所述光刻胶图形随所述基片一同发生形变，接着在基片表...
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- 以大高宽比硅纳米柱阵列为基底的光敏电阻及其制备方法
- 本发明公开了一种以大高宽比硅纳米柱阵列为基底的半导体光敏电阻及其制备方法。该种光敏电阻是以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，光敏材料层包裹在纳米阵列表面。其制作方法包括：在硅片表面制备大高宽比纳米柱阵列；在硅纳米柱阵列表面包裹...
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- 一种金属微结构及其制作方法
- 本发明提供了一种金属微结构及其制作方法，其中方法首先在一平整的基片的表面涂覆一层光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影，以在基片的表面形成光刻胶图形，然后令基片发生形变，以使得所述光刻胶图形随所述基片一同发生形变，接着在基片表...
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