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陈珙

作品数：34 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇中文专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 12篇沟道
  • 10篇分子
  • 9篇生物分子
  • 9篇纳米
  • 9篇纳米线
  • 9篇刻蚀
  • 9篇刻蚀损伤
  • 8篇晶体管
  • 7篇电路
  • 7篇电阻
  • 7篇生物传感
  • 7篇生物传感器
  • 7篇集成电路
  • 7篇感器
  • 7篇超大规模集成
  • 7篇超大规模集成...
  • 7篇传感
  • 7篇传感器
  • 7篇大规模集成电...
  • 6篇体硅

机构

  • 34篇北京大学

作者

  • 34篇黎明
  • 34篇陈珙
  • 32篇黄如
  • 19篇杨远程
  • 9篇张昊
  • 8篇樊捷闻
  • 2篇王清
  • 2篇李海霞
  • 2篇张嘉阳
  • 1篇林猛
  • 1篇安霞
  • 1篇张兴

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 7篇2019
  • 4篇2018
  • 8篇2017
  • 9篇2016
  • 1篇2015
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种垂直沟道的纳米线生物传感器的集成方法
本发明提供一种垂直沟道纳米线生物传感器的集成方法，属于半导体制造技术领域。该方法结合刻蚀通孔、外延沟道、各向同性去除假栅层以实现垂直沟道的纳米线生物传感器的集成。本发明与传统的水平沟道结构相比，生物分子在溶液中进行布朗运...
黎明陈珙杨远程黄如
一种鞘层沟道结构的垂直纳米线器件及其制备方法
本发明公布了一种鞘层沟道结构的垂直纳米线器件及其制备方法，结合刻蚀通孔、淀积沟道材料、填充二氧化硅，获得集成的鞘层沟道结构垂直纳米线器件；包括：提供一半导体衬底，实现器件隔离；形成重掺杂的下有源区；淀积假栅叠层；通过刻蚀...
黎明陈珙杨远程黄如
一种空气侧墙结构的垂直纳米线器件的集成方法
本发明提供一种空气侧墙结构的垂直纳米线器件的集成方法，该方法结合刻蚀通孔、外延沟道材料的集成，制备了上有源区空气侧墙结构。与传统的二氧化硅或氮化硅侧墙结构相比，由于空气的相对介电常数为1，可以极大地减小栅极与上有源区之间...
黎明陈珙杨远程黄如
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一种实现纳米线生物传感器表面修饰的方法
本发明提供一种实现纳米线生物传感器表面修饰的方法，该方法对纳米线生物传感器待修饰表面进行氨气或氮氢混合气体的等离子体处理，纳米线生物传感器待修饰表面被修饰上氨基；将混合有交联剂和待修饰生物分子的溶液滴定至纳米线生物传感器...
黎明陈珙林猛黄如
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多种金属栅的集成方法
本发明公开了一种多种金属栅的集成方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法基于后栅工艺“逐次剥离”，采用剥离工艺实现多种金属栅的集成方法，相比TakashiMatsukawa等的“淀积—退火合金”方法，本方法无附加热...
黎明杨远程陈珙樊捷闻张昊黄如
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一种纳米尺度多晶硅线条的制备方法
本发明公开了一种纳米尺度多晶硅线条的制备方法。本发明采用在衬底上形成非晶硅薄膜层，然后在非晶硅薄膜层上刻蚀出纳米尺度细线条，最后进行退火处理，再结晶得到高质量低内部缺陷的柱状多晶硅；本发明再结晶后得到的多晶硅的晶粒尺寸显...
黎明陈珙张昊杨远程黄如
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一种空气侧墙结构的垂直纳米线器件的集成方法
本发明提供一种空气侧墙结构的垂直纳米线器件的集成方法，该方法结合刻蚀通孔、外延沟道材料的集成，制备了上有源区空气侧墙结构。与传统的二氧化硅或氮化硅侧墙结构相比，由于空气的相对介电常数为1，可以极大地减小栅极与上有源区之间...
黎明陈珙杨远程黄如
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一种超薄硅化物的制备方法
本发明公开了一种超薄硅化物的制备方法。本方法为：1)在硅衬底上制备插入阻挡层；2)在制备的阻挡层上制备一金属层；3)对步骤2)得到的结构进行退火，使该金属层的金属扩散过该插入阻挡层并与硅反应形成超薄硅化物；4)去除多余的...
黎明陈珙杨远程张昊樊捷闻黄如
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一种垂直纳米线晶体管的集成方法
本发明公开了一种垂直纳米线晶体管的集成方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该方法结合图形化外延和侧壁替代栅以实现垂直纳米线晶体管集成，与现有的通过刻蚀形成垂直纳米线沟道的方法相比，能...
黎明杨远程陈珙樊捷闻张昊黄如
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一种实现半导体器件隔离的方法
本发明公开了一种实现集成电路中半导体器件隔离的方法，该方法结合热氧化与淀积技术，先形成半导体器件的有源区；然后填充高深宽比间隙形成窄STI隔离；最后再填充低深宽比间隙形成宽STI隔离。本发明的优点如下：无论对于微米尺度的...
黎明陈珙杨远程樊捷闻张昊黄如
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