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李孟丽

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇介孔
  • 3篇氮化碳
  • 2篇原位生长
  • 2篇质量比
  • 2篇前驱体
  • 2篇煅烧
  • 2篇稳定性
  • 2篇介孔结构
  • 2篇孔结构
  • 2篇高稳定
  • 2篇高稳定性
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇超声分散
  • 1篇石墨
  • 1篇水分
  • 1篇水热

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇施剑林
  • 4篇张玲霞
  • 4篇吴玫颖
  • 4篇杜燕燕
  • 4篇李孟丽
  • 2篇王敏

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法
本发明涉及一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法，包括以下步骤：步骤1）将类石墨氮化碳前驱体、硬模板SiO<Sub>2</Sub>球分散在水中，在25～50℃下搅拌10～60分钟，其中，所述类石墨氮化碳前驱体与水的质...
李孟丽张玲霞吴玫颖杜燕燕施剑林
文献传递
一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法
本发明涉及一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法，步骤包括：（1）将六元环固态有机物与g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>前驱体按1～50 mg：1～20 g的比例混合，研磨；（2）将...
李孟丽张玲霞杜燕燕吴玫颖王敏施剑林
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一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法
本发明涉及一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法，包括以下步骤：步骤1）将类石墨氮化碳前驱体、硬模板SiO<Sub>2</Sub>球分散在水中，在25～50℃下搅拌10～60分钟，其中，所述类石墨氮化碳前驱体与水的质...
李孟丽张玲霞吴玫颖杜燕燕施剑林
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一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法
本发明涉及一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法，步骤包括：（1）将六元环固态有机物与g-C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>前驱体按1～50mg：1～20g的比例混合，研磨；（2）将研磨...
李孟丽张玲霞杜燕燕吴玫颖王敏施剑林
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