何雄
- 作品数：9 被引量：7H指数：2
- 供职机构：武汉理工大学材料科学与工程学院材料复合新技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 硅基半导体热滞现象的研究
- 2017年
- 采用四线法研究Ag/Si O2/p-Si∶B/Si O2/Ag器件在不同温度下的电输运性能(V-I特性),在低温V-I特性曲线中观察到了明显的热滞现象.为了消除热滞现象带来的实验误差,文中提出了采用增强系统热传导以及延长连续两次测量的间隔时间的方法,并通过延长连续两次测量时间间隔的方式消除了热滞对器件电输运性能的影响.结果表明,在进行半导体基材料的电性能及磁阻效应的研究时,必须考虑热效应可能带来的影响,否则将导致错误的实验结果.
- 孙志刚何雄谢晴兴李月仇庞雨雨
- 关键词：电性能
- 全固态磁制冷系统物理模型的研究进展被引量：2
- 2019年
- 磁制冷是一种节能环保的制冷技术,具有广阔的应用前景.目前,基于主动磁回热循环的磁制冷系统被广泛研究并诞生了多个原型制冷机.然而,这些系统主要采用流体换热,导致系统存在工作频率低、回热损失大、子部件设计复杂等问题,使得制冷机成本升高和效率降低.针对上述问题和难点,引入固态传热增强机制和全固态磁制冷系统模型设计及优化已成为近年来研究的热点.本文综述了全固态磁制冷系统的两类物理模型的研究进展,即基于热二极管(电控热二极管和磁控热二极管)的全固态磁制冷模型和基于高热导率材料元件的全固态磁制冷模型.与传统主动磁回热制冷模型进行比较分析,表明全固态磁制冷具有更大的应用潜力.最后,对未来全固态磁制冷技术的研究进行了分析和展望.
- 刘国强柯亚娇张孔斌何雄罗丰何斌孙志刚
- 关键词：物理模型
- 紫外光辐照对TiO_2纳米线电输运性能的影响及磁阻效应研究被引量：1
- 2016年
- 采用溶胶凝胶法以及静电纺丝法,利用热处理工艺,成功制备出了多晶锐钛矿型TiO_2纳米线,通过两线法在室温下测试单根TiO_2纳米线的V-I曲线来研究其电输运性能及磁阻效应.结果表明:在无光照环境下其V-I曲线为不过零点的直线,零场电阻较大,在磁场作用下电阻下降,表现出负磁阻效应;紫外光辐照环境下TiO_2纳米线载流子浓度增加使得电阻变小,然而在磁场作用下电阻增大,表现为正磁阻效应.紫外光辐照导致的载流子浓度变化,使得负磁阻转变为正磁阻,我们将磁阻变化归结为d电子局域导致的负磁阻与能带劈裂导致的正磁阻两种机理相互竞争的结果.
- 孙志刚庞雨雨胡靖华何雄李月仇
- 关键词：磁阻效应
- SnSe2的忆阻及磁阻效应
- 2020年
- 忆阻和磁阻效应在当前电子信息存储领域都有着广泛的应用.近年来,硫族化合物SnSe2作为一种同时具有忆阻与磁阻效应的存储材料,受到广大科研工作者的关注,该材料的电输运机理的深入探索具有十分重要意义.本文采用熔融法结合放电等离子烧结技术成功制备了高纯度的SnSe2块体材料,测量了不同温度、不同磁场条件下的电流-电压特性曲线,系统地研究了其忆阻与磁阻效应.研究表明:不同温度下的忆阻特征可被归结为缺陷控制下的空间电荷限制电流效应;温度降低导致忆阻现象减弱,这与低温下杂质电离较弱导致可接受注入载流子的缺陷变少从而空间电荷限制电流效应变弱有关.同时发现,样品在低温下呈现较大的负磁阻效应,这是因为在低温下杂质散射占主导作用,电子在传导时会受到杂质的多重散射导致载流子局域化,负磁阻效应与磁场对载流子局域化的抑制作用有关;随着温度升高,散射机制逐渐由杂质散射转变为晶格散射为主,负磁阻效应逐渐转变为正磁阻效应.
- 何斌何雄刘国强朱璨王嘉赋孙志刚
- 关键词：磁阻
- Hall测量中排除反常Hall效应影响的原理与方法
- 2018年
- 本文通过分析Hall效应产生机制发现,对于磁性半导体或磁性掺杂半导体而言,测试获得的Hall电压中往往存在反常Hall效应的影响;通过对Hall测量系统误差分析及其消除方法的研究,本文发现在使磁性杂质达到饱和磁化的强磁场作用下,正常Hall电压与反常Hall电压之和与测量磁场之间是线性关系,因此,在一系列恒定强磁场下测出正、反向电流时的表观Hall电压,然后通过对表观Hall电压与磁场曲线的线性拟合得到斜率,确定正常Hall系数,最终排除了反常Hall效应的影响。本文研究有益于促进Hall测量在磁性半导体或磁性掺杂半导体中的更为广泛应用。
- 赵良兵何雄孙志刚
- 锗基半导体器件的界面磁阻效应和体磁阻效应
- 2021年
- 本工作对Ag/p-Ge∶Ga/Ag器件的界面磁阻和体磁阻效应进行了研究,结果表明该器件的体磁阻效应远大于界面磁阻效应。对界面磁阻而言,界面局部等离子体的形成与淬灭受外加磁场的影响较小,致使界面磁阻很小;而对体磁阻而言,磁场导致载流子复合速率加快,使载流子浓度急剧下降,从而导致体磁阻数值较大。进一步研究发现,采用低载流子浓度Ge制备的器件可以获得更为优异的体磁阻效应。本工作也研究了不同磁场施加方向对体磁阻效应的影响,发现低温时体磁阻具有明显的各向异性。当温度低于200 K时,垂直方向的体磁阻明显大于平行方向的体磁阻,其中当温度为10 K时,垂直方向体磁阻最大值约为123%@1 T,远大于平行方向的体磁阻数值(仅约为41%@1 T)。机理分析认为,体磁阻效应的各向异性源于不同磁场构型下几何效应的差异,而低温下载流子迁移率的增加导致这种几何效应的影响更为明显。
- 于涵何雄张孔斌何斌罗丰孙志刚
- 室温SI-GaAs基半导体光激发磁阻效应研究
- 基于非磁性材料(如GaAs1-3等)的磁阻(MR)效应器件具有重大的研究意义和价值.研究表明，对于半导体材料，光辐照会极大增强磁阻效应.Akinaga等研究发现基于MnSb掺杂的GaAs基半导体器件可观察到较强的光激发磁...
- 何雄孙志刚
- 关键词：电输运
- Peltier效应:从线性到非线性被引量：3
- 2021年
- 热电制冷技术是一种环保型的制冷技术,具有广阔的应用前景.其中Peltier效应在热电制冷过程中具有核心作用,但是由于Peltier系数很难测量,在实际应用过程中通常是首先得到Seebeck系数,然后利用Kelvin第二关系式间接得到Peltier系数.需要注意的是,Kelvin第二关系式是在线性条件下(Ohm定律、Fourier定律等)得到的,而在实际过程中非线性的电流-电压关系(肖特基结、pn结等)和热输运关系却是大量存在的.在纳米尺度,量子效应将起到主导作用,此时Peltier效应应该考虑非线性的影响,Kelvin第二关系式的适用性也应该重新考虑.本文综述了采用不同方法对Peltier系数和Kelvin第二关系式的理论推导,讨论了推导过程中利用的假设条件;概述了Peltier系数实验测定的几种方法,讨论了各种附加效应对Peltier系数测定的影响;并介绍了非线性Peltier效应的理论工作.最后本文讨论了在非线性条件下Peltier效应的研究策略和可行方向.
- 杨振朱璨柯亚娇何雄罗丰王剑王剑王嘉赋
- 关键词：非线性KELVIN热电制冷
- 非磁性半导体磁阻效应物理模型研究被引量：1
- 2017年
- 非磁性半导体的磁阻效应一直以来受到了科研工作者的广泛关注,具有重大的研究意义和价值,在磁性传感器、高密度存储等方面有着潜在应用前景。主要综述了几种典型的非磁性半导体磁阻效应物理模型,即空间电荷效应模型、纳米非均匀性模型、二极管辅助几何增强模型、载流子复合模型和雪崩电离模型。最后,对非磁性半导体的雪崩电离基磁阻效应进行了分析和展望。
- 何雄孙志刚
- 关键词：磁阻效应物理模型雪崩电离巨磁阻
