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王前进
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21
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云南师范大学
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国家自然科学基金
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相关领域:
一般工业技术
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合作作者
谭秋红
云南师范大学
刘应开
云南师范大学
杨培志
云南师范大学
杨雯
云南师范大学
杨志坤
云南师范大学
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云南师范大学
作者
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王前进
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谭秋红
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刘应开
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杨雯
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杨志坤
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一种基于杂化材料的光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于杂化材料的光电探测器及其制备方法,具体为CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>NAs/CdSe NBs光电探测器及其制备方法,先是将CdSeNBs分散在...
王前进
任文萍
谭秋红
刘应开
一种基于氮氧化铪栅绝缘层室温制备的并五苯薄膜晶体管
本实用新型属于存储器技术领域,具体涉及一种基于氮氧化铪栅绝缘层室温制备的并五苯薄膜晶体管,包括栅电极、氮氧化铪绝缘层、并五苯沟道层、源电极和漏电极,所述栅电极上设置有氮氧化铪绝缘层,氮氧化铪绝缘层上设置有并五苯沟道层,并...
谭秋红
王前进
刘应开
王益
蔡武德
杨志坤
文献传递
一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器
本实用新型属于存储器技术领域,具体涉及一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器,包括衬底层、栅电极、铁电绝缘层、碳纳米管条纹阵列、源电极和漏电极,所述衬底层上设置有栅电极,栅电极上设置有铁电绝缘层,铁电绝缘层上设置有碳纳米管...
谭秋红
王前进
刘应开
杨志坤
罗文平
谭秋艳
文献传递
一种计算过渡金属氧化物能带结构的方法
本发明涉及一种利用Quantum‑ESPRESSO软件计算过渡金属氧化物能带结构的方法,属于计算材料学领域。Quantum‑ESPRESSO软件基于密度泛函理论计算材料的电子结构,同时考虑了过渡金属的d电子和O的2p电子...
王前进
谭秋红
刘应开
文献传递
一种基于石墨烯电极的层状二硫化钼铁电存储器
本实用新型属于存储器技术领域,具体涉及一种基于石墨烯电极的层状二硫化钼铁电存储器,包括栅电极、铁酸铋铁电绝缘层、二硫化钼沟道层、石墨烯源电极和漏电极,所述栅电极上设置有铁酸铋铁电绝缘层,铁酸铋铁电绝缘层上设置有二硫化钼沟...
谭秋红
杨必想
张粉祝
王前进
刘应开
蔡武德
杨志坤
文献传递
一种硅量子点氢气探测器
本发明涉及氢气探测领域,具体涉及一种硅量子点氢气探测器,包括光源、光探测器、敏感元件,敏感元件包括衬底、铂层、硅量子点,铂层置于衬底上,硅量子点置于铂层上,光源发出连续谱激光并从硅量子点一侧照射敏感元件,敏感元件反射连续...
杨雯
戚自婷
杨培志
周启航
李学铭
王琴
王前进
文献传递
基于Au修饰MoS<Sub>2</Sub>电极的钙钛矿/石墨烯杂化光电探测器
本实用新型属于光电探测器领域,具体设计基于Au修饰MoS<Sub>2</Sub>电极的钙钛矿/石墨烯杂化光电探测器,至下而上包括包括栅电极,栅极绝缘层,垂直石墨烯纳米墙/钙钛矿结构,Au修饰MoS<Sub>2</Sub>...
谭秋红
任文萍
王前进
刘应开
文献传递
一种基于氧化铪缺陷调控层石墨烯铁电存储器
本实用新型属于存储器技术领域,具体涉及一种基于氧化铪缺陷调控层石墨烯铁电存储器,包括衬底层、栅电极、缺陷调控层、铁电绝缘层、石墨烯层、源电极和漏电极,所述衬底层上设置有栅电极,栅电极上设置有缺陷调控层,缺陷调控层上设置有...
谭秋红
王前进
刘应开
蔡武德
杨志坤
文献传递
MoTe<Sub>2</Sub>/CdS<Sub>0.42</Sub>Se<Sub>0.58</Sub>薄片异质结光电探测器及制备方法
本发明属于光成像技术领域,公开了一种MoTe<Sub>2</Sub>/CdS<Sub>0.42</Sub>Se<Sub>0.58</Sub>薄片异质结光电探测器及制备方法,该器件包括MoTe<Sub>2</Sub>/Cd...
谭秋红
王前进
马然
刘应开
锁相环频率合成器电路系统
本实用新型涉及一种锁相环频率合成器电路系统,包括用于供电的电源模块、微控制器模块、串口通信模块、按键及液晶屏、锁相环芯片、环路滤波器、有源晶振,串口通信模块用于将写好的程序下载到微控制器模块,按键与微控制器模块相连,并用...
谭秋红
张永伟
蒋绍全
王前进
杨志坤
张超
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