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刘帅奇

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 4篇电气工程

主题

  • 6篇电池
  • 5篇CIGS
  • 4篇直流磁控
  • 4篇直流磁控溅射
  • 4篇太阳电池
  • 4篇铜铟镓硒
  • 4篇铜铟镓硒薄膜...
  • 4篇溅射
  • 4篇薄膜太阳电池
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇蒸发
  • 2篇导杆
  • 2篇底盘
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇氧化铟
  • 2篇氧化铟锡
  • 2篇氧化铟锡薄膜
  • 2篇真空
  • 2篇收卷

机构

  • 13篇中国电子科技...

作者

  • 13篇刘帅奇
  • 10篇申绪男
  • 10篇赵岳
  • 7篇乔在祥
  • 7篇王胜利
  • 6篇赵彦民
  • 2篇刘兴江
  • 1篇邓朝文
  • 1篇郝明明
  • 1篇徐志彬
  • 1篇庞辉
  • 1篇张晶
  • 1篇李杨

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于制备CIGS太阳电池吸收层的束流蒸发源
本发明公开了一种用于制备CIGS太阳电池吸收层的束流蒸发源，包括：束流源、束流源底盘、上束流源悬挂件、下束流源悬挂件、横向导杆、转动连接片、横向滑动块、纵向导杆、纵向滑动块、以及真空腔室底盘。上述真空腔室底盘位于束流蒸发...
赖运子赵岳申绪男王胜利刘帅奇乔在祥赵彦民
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一种低温制备高效柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法
本发明公开了一种低温制备高效柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤一、通过直流磁控溅射沉积系统在柔性衬底上沉积厚度范围为500nm至700nm的Mo作为背电极，其中：Mo为双层结构，高阻Mo层的厚度范围为10...
申绪男赵岳王胜利赖运子刘帅奇赵彦民乔在祥
一种工业化沉积CIGS太阳电池吸收层的方法及设备
本发明公开了一种工业化沉积CIGS太阳电池吸收层的方法及设备，蒸发腔室包括作为放卷室的第一腔室，作为工艺室的第二、三、四腔室，和作为收卷室的第五腔室。蒸发室内上部设置有带动衬底行进的放卷器、倒卷滚轴、收卷器、纠偏系统。第...
王胜利赵岳申绪男刘帅奇赖运子赵彦民乔在祥
一种高安全高比能量锂/氟化碳电池制备方法
本发明公开了一种高安全高比能量锂/氟化碳电池制备方法，利用锂盐溶于有机溶剂或与固体聚合物复合制备得到高锂盐浓度电解液或高锂盐浓度固体聚合物电解质，采用该高锂盐浓度电解液或高锂盐浓度固体聚合物电解质组装得到锂/氟化碳电池，...
徐志彬李杨刘帅奇郝明明
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一种锂电池电解液及其制备方法
本发明提供一种锂电池电解液，包括：有机溶剂、锂盐以及添加剂，其中，所述有机溶剂为碳酸甲乙酯、1，3‑二氧环戊烷和碳酸乙烯酯的混合有机溶剂；所述锂盐的浓度为0.5mol/L‑1.5mol/L。本发明的有益效果是能整体提高锂...
刘帅奇宁凡雨庞辉邓朝文刘兴江
双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池及制备方法
本发明公开了一种双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池及制备方法，包括：步骤1、在衬底上制作背电极；具体为：通过直流磁控溅射沉积系统在衬底材料上沉积Mo作为背电极，Mo为双层结构；步骤2、在背电极上利用共蒸发铜、铟、镓、硒...
申绪男赵岳赖运子刘帅奇
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一种石墨烯基正极材料的电化学活化方法及锂离子电容器
本发明公开了一种石墨烯基正极材料的电化学活化方法及锂离子电容器，电化学活化方法为：以石墨烯基材料为正极，加入负极、隔膜和电解液，组装成锂离子电容器，对锂离子电容器进行一定电压范围内的恒电流充放电或循环伏安处理，在正极得到...
宁凡雨刘帅奇赵彪刘未辰张晶刘兴江
一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法
本发明公开了一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤一、通过直流磁控溅射沉积系统在柔性衬底上沉积厚度范围为500nm至700nm的Mo作为背电极，其中：Mo为双层结构，高阻Mo层的厚度范围为100n...
申绪男赵岳王胜利赖运子刘帅奇赵彦民乔在祥
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一种工业化沉积CIGS太阳电池吸收层的方法及设备
本发明公开了一种工业化沉积CIGS太阳电池吸收层的方法及设备，蒸发腔室包括作为放卷室的第一腔室，作为工艺室的第二、三、四腔室，和作为收卷室的第五腔室。蒸发室内上部设置有带动衬底行进的放卷器、倒卷滚轴、收卷器、纠偏系统。第...
王胜利赵岳申绪男刘帅奇赖运子赵彦民乔在祥
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双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池及制备方法
本发明公开了一种双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池及制备方法，包括：步骤1、在衬底上制作背电极；具体为：通过直流磁控溅射沉积系统在衬底材料上沉积Mo作为背电极，Mo为双层结构；步骤2、在背电极上利用共蒸发铜、铟、镓、硒...
申绪男赵岳赖运子刘帅奇
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