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陈万世

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 4篇微晶
  • 3篇外延片
  • 3篇LED芯片
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化物
  • 2篇电镀
  • 2篇电子束
  • 2篇蒸发
  • 2篇脉冲电流
  • 2篇化物
  • 2篇发光
  • 2篇发光器件
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体发光器...
  • 2篇沉积速率
  • 2篇AC
  • 1篇电流
  • 1篇电子枪
  • 1篇钝化层
  • 1篇荧光粉层

机构

  • 6篇比亚迪汽车股...

作者

  • 6篇陈万世
  • 2篇张旺

年份

  • 2篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种半导体发光器件及电流扩散层的制备方法
本发明提供一种半导体发光器件中电流扩散层的制备方法，所述方法包括以下步骤：S11、提供一承载所述电流扩散层的外延片，在所述外延片上通过直流电子枪加热蒸发ITO源沉积一ITO薄膜层；S12、在沉积完85-90%厚度的ITO...
陈万世张旺
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一种高压LED芯片及其制备方法
本发明提供一种高压LED芯片及其制备方法，所述芯片包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层，所述p型氮化物层上刻蚀有多个凹槽，所述凹槽的深度至n型氮化物层；所述凹槽底部的部分区域刻蚀有沟槽以...
陈万世
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一种AC LED芯片的制备方法
本发明提供一种AC LED芯片的制备方法，通过先在相邻微晶的负极和正极之间沉积微晶连线，同时在芯片正负电极上实现预沉积，即在芯片正负电极上也预先沉积与微晶连线相同的材料；然后在预沉积的芯片正负电极处利用化学还原镀金的方法...
陈万世
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一种高压发光二极管芯片及其制备方法
本发明提供一种高压发光二极管芯片的制备方法，包括步骤：S11、在衬底上生长出具有缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层的外延片；S12、在外延片上刻蚀出多个间隔排列的第一沟槽；S13、在每个第一沟槽的底壁上刻蚀出第二...
陈万世
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一种AC LED芯片的制备方法
本发明提供一种ACLED芯片的制备方法，通过先在相邻微晶的负极和正极之间沉积微晶连线，同时在芯片正负电极上实现预沉积，即在芯片正负电极上也预先沉积与微晶连线相同的材料；然后在预沉积的芯片正负电极处利用化学还原镀金的方法沉...
陈万世
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一种半导体发光器件及电流扩散层的制备方法
本发明提供一种半导体发光器件中电流扩散层的制备方法，所述方法包括以下步骤：S11、提供一承载所述电流扩散层的外延片，在所述外延片上通过直流电子枪加热蒸发ITO源沉积一ITO薄膜层；S12、在沉积完85-90%厚度的ITO...
陈万世张旺
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