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杜嘉斌

作品数：12 被引量：6H指数：2
供职机构：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司更多>>
发文基金：江西省自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电气工程

主题

  • 9篇电池
  • 7篇太阳能
  • 7篇太阳能电池
  • 6篇电池组
  • 6篇电池组件
  • 6篇太阳能电池片
  • 6篇太阳能电池组...
  • 4篇光伏
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇减反射膜
  • 3篇发电
  • 2篇电量
  • 2篇电量损失
  • 2篇多晶硅太阳电...
  • 2篇蒸汽
  • 2篇指印
  • 2篇太阳电池
  • 2篇污染
  • 2篇晶片

机构

  • 12篇江西赛维LD...
  • 2篇南昌大学
  • 2篇南昌航空大学

作者

  • 12篇杜嘉斌
  • 4篇孙李媛
  • 2篇曹家庆
  • 2篇周浪
  • 2篇肖慧萍
  • 2篇万跃鹏
  • 2篇章金兵
  • 2篇宋建平
  • 2篇李建敏
  • 1篇李世岚
  • 1篇胡动力

传媒

  • 2篇江西化工

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2010
  • 1篇2009
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
太阳能电池片
1．本外观设计产品的名称：太阳能电池片；;2．本外观设计产品的用途：用于将太阳能转化为电能；;3．本外观设计的设计要点：设计1至设计5主视图中的栅线排布；;4．最能表明设计要点的图片或者照片：设计5主视图；;5．设计1至...
中野研吾杜嘉斌
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一种地面发电用太阳能电池串和太阳能电池组件及其所用的太阳能电池片
本发明涉及光伏或半导体领域，特别是一种地面发电用太阳能电池串和太阳能电池组件及其所用的太阳能电池片；一种地面发电用太阳能电池串，其特征在于：电池片的规格为长度3-40cm，宽度为1-15cm，厚度为0.08-2mm，该电...
中野研吾杜嘉斌孙李媛
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一种地面发电用太阳能电池串和太阳能电池组件及其所用的太阳能电池片
本发明涉及光伏或半导体领域，特别是一种地面发电用太阳能电池串和太阳能电池组件及其所用的太阳能电池片；一种地面发电用太阳能电池串，其特征在于：电池片的规格为长度3-40cm，宽度为1-15cm，厚度为0.08-2mm，该电...
中野研吾杜嘉斌孙李媛
一种多晶硅锭及其制备方法
本发明涉及一种新型太阳能级多晶硅锭及其制备方法；一种多晶硅锭，其特征在于：该多晶硅锭中的P型杂质的含量占总重量的0.00004-0.0004％，其电阻率为1-3Ω·cm，其中的硅的含量占总重量的99.9-99.9999％...
中野研吾杜嘉斌
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一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法
本发明涉及半导体领域或光伏领域的一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，特别是一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其特征在于：采用蒸汽喷至半导体晶片表面，半导体晶片表面肉眼不可见的手指印即可用人工肉眼...
李建敏中野研吾杜嘉斌宋建平
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太阳能电池片、太阳能电池串和太阳能电池组件
本实用新型公开了一种太阳能电池片、太阳能电池串和太阳能电池组件。所述太阳能电池片的正面设有多条细栅线及至少两个结点，各所述结点间间隔设置，各所述细栅线延伸连接至距离相对较近的结点，相邻两所述结点之间通过细栅线连接。由于结...
中野研吾杜嘉斌
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一种太阳能电池片及其太阳能电池串和太阳能电池组件
本发明涉及光伏或半导体领域中的一种太阳能电池片及其太阳能电池串和组件；本发明提供了一种高效率的太阳能电池片，包括：硅片(1)，扩散层(2)，减反射膜(3)，细栅(4)，扩散层(2)覆盖在硅片(1)的正面、侧面以及部分背面...
中野研吾杜嘉斌孙李媛
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一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法
本发明涉及半导体领域或光伏领域的一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，特别是一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其特征在于：采用蒸汽喷至半导体晶片表面，半导体晶片表面肉眼不可见的手指印即可用人工肉眼...
李建敏中野研吾杜嘉斌宋建平
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多晶体硅太阳电池的PID效应研究被引量：4
2015年
随着多晶硅太阳电池的广泛应用,电池组件的电势诱导衰减(PID)现象越来越引起大家的重视。本文介绍了多晶硅太阳PID现象产生的原因以及目前的解决途径。
肖慧萍周浪曹家庆杜嘉斌万跃鹏李世岚章金兵
关键词：多晶硅太阳电池
一种太阳能电池片及其太阳能电池串和太阳能电池组件
本发明涉及光伏或半导体领域中的一种太阳能电池片及其太阳能电池串和组件；本发明提供了一种高效率的太阳能电池片，包括：硅片1，扩散层2，减反射膜3，细栅4，扩散层2覆盖在硅片1的正面、侧面以及部分背面，位于硅片1的正面的扩散...
中野研吾杜嘉斌孙李媛
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