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崔艳峰

作品数：47 被引量：0H指数：0
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>
相关领域：电气工程经济管理电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 45篇专利
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信

主题

  • 37篇电池
  • 17篇太阳能电池
  • 11篇太阳电池
  • 11篇太阳能
  • 11篇衬底
  • 10篇晶体硅
  • 8篇硅太阳能电池
  • 7篇钝化层
  • 7篇载流子
  • 7篇晶体硅太阳能...
  • 7篇硅衬底
  • 6篇单晶
  • 6篇单晶硅
  • 6篇钝化
  • 6篇填充因子
  • 6篇光致
  • 5篇电极
  • 5篇电流
  • 5篇异质结
  • 5篇异质结太阳能...

机构

  • 47篇常州天合光能...
  • 1篇常州大学

作者

  • 47篇崔艳峰
  • 29篇陈奕峰
  • 28篇王子港
  • 18篇袁声召
  • 10篇盛赟
  • 8篇陈达明
  • 8篇冯志强
  • 8篇陆中丹
  • 7篇杨阳
  • 5篇丁志强
  • 3篇余冬冬
  • 3篇董科研
  • 2篇石建华
  • 2篇皮亚同·皮·...
  • 2篇邓伟伟
  • 2篇刘斌辉
  • 2篇张荣
  • 2篇刘正新
  • 2篇孟凡英
  • 1篇张映斌

年份

  • 1篇2018
  • 10篇2017
  • 8篇2016
  • 10篇2015
  • 8篇2014
  • 7篇2013
  • 3篇2012
共 47 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单晶硅双面太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种单晶硅双面太阳电池，在单晶硅衬底（100）的正面依次形成正面制绒形貌结构（1）、正面PN发射结（2）、正面钝化减反介质层（3）以及正面电极（4），在单晶硅衬底的背面依次形成背面制绒形貌结构（5）、背表面场...
盛赟陈奕峰崔艳峰袁声召端伟元王子港
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高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池及其制备方法
本发明公开了一种高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池，在N型硅衬底的正面依次形成P+层、氧化硅层、氧化铝层和金属电极，在N型硅衬底的背面依次形成N+层、氮化硅层和金属电极，其特征在于：在正面金属化区域下方存在一层20n...
王子港崔艳峰袁声召盛赟刘成法陈达明陈奕峰
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单晶硅双面太阳电池
本实用新型公开了一种单晶硅双面太阳电池，在单晶硅衬底（100）的正面依次形成正面制绒形貌结构（1）、正面PN发射结（2）、正面钝化减反介质层（3）以及正面电极（4），在单晶硅衬底的背面依次形成背面制绒形貌结构（5）、背表...
盛赟陈奕峰崔艳峰袁声召端伟元王子港
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高效率晶硅太阳能电池研发及产业化
高纪凡崔艳峰盛赟张映斌杨阳陈奕峰朱治国熊震陈达明包健袁声召
该项目属于新能源领域中太阳能光伏技术的研发和产业化。中国正处在经济高速发展时期，能源短缺与环境污染问题尤为突出。高效、低成本地转换太阳能为新型清洁能源并实现规模化利用是解决这两大难题的有效途径之一。太阳能光伏技术是中国“...
关键词：
关键词：硅太阳能电池光电转换效率
晶体硅太阳能电池交替式金属前电极及其制备方法
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池交替式金属前电极及其制备方法，该晶体硅太阳能电池交替式金属前电极包括多列主栅和多行细栅，细栅与主栅相连接，每行细栅包括呈分布式交替设置的多个连接非银电极和多个局域银电极；其中，局域银电极贯...
陈奕峰邓伟伟陈达明崔艳峰王子港刘斌辉皮尔·雅各·威灵顿冯志强
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一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法及其设备
本发明公开了一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法，依次包括如下步骤：S1：将电池片在第一温度下进行高光照处理，持续第一时间；S2：将电池片在第二温度下进行高光照处理，持续第二时间；S3：将电池片在第三温度下进行高光照...
崔艳峰陈奕峰王子港端伟元皮尔·威灵顿
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用于太阳能电池的刻蚀浆料及其制备方法和使用方法
本发明公开了一种用于太阳能电池的刻蚀浆料及其制备方法和使用方法，该用于太阳能电池的刻蚀浆料的组份和各组份质量百分比如下：氢氟酸：5%～15%；硝酸：40%～60%；有机溶剂：15%～30%；有机粘结剂：10%～20%；助...
崔艳峰袁声召
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一种双面太阳电池的测试装置及其测试方法
本发明公开了一种双面太阳电池的测试装置，包括：太阳光模拟器，成排设置的、用于在测试时分别接触待测双面太阳电池正面电极和背面电极的上探针和下探针，以及电学测试仪器，所述上探针和下探针分别通过连接导线与电学测试装置电连接，其...
盛赟袁声召崔艳峰王子港陈奕峰
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一种高效钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法
本发明公开了一种高效钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法，属于太阳电池技术领域，通过利用扩散过程中形成的本应被刻蚀掉的硅氧化层作为阻挡层，而不需要额外沉积一层薄膜作为阻挡层，极大地优化了电池的制备工艺过程，同时有利于成本的降...
崔艳峰王子港陈奕峰
隔离衬底层两面薄膜的方法及异质结太阳能电池制备工艺
本发明公开了一种隔离衬底层两面薄膜的方法，该方法的步骤如下：1）在衬底层正面和/或背面的四周并且靠近衬底层边缘的部位光刻出向外凸起的光刻胶窄线；2）在衬底的正面和背面分别依次生产相应的薄膜层；3）在形成太阳能电池的银栅极...
崔艳峰袁声召
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