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文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇氮化
  • 5篇氮化硅
  • 4篇氧含量
  • 2篇氮化硅粉
  • 2篇氮化硅粉体
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇阳光
  • 2篇氧化硅
  • 2篇绒面
  • 2篇太阳
  • 2篇太阳光
  • 2篇喷涂
  • 2篇喷涂技术
  • 2篇氢氟酸
  • 2篇污染
  • 2篇污染隐患
  • 2篇硝酸
  • 2篇结合层
  • 2篇碱腐蚀

机构

  • 7篇江西赛维LD...

作者

  • 7篇何亮
  • 7篇尚召华
  • 4篇胡动力
  • 3篇丁俊
  • 2篇万跃鹏
  • 2篇陈红荣

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2010
  • 1篇2009
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种硅片的绒面制作方法
本发明涉及光伏或半导体领域的一种硅片的绒面制作方法,本发明要解决的技术问题是提供一种硅片的绒面制作方法,其中:将硅片置于HCl气体中进行腐蚀来制备硅片绒面;相比目前使用较多的氢氟酸、硝酸或碱腐蚀制绒方法,采用本发明提供的...
何亮丁俊尚召华
一种硅片的绒面制作方法
本发明涉及光伏或半导体领域的一种硅片的绒面制作方法,本发明要解决的技术问题是提供一种硅片的绒面制作方法,其中:将硅片置于HCl气体中进行腐蚀来制备硅片绒面;相比目前使用较多的氢氟酸、硝酸或碱腐蚀制绒方法,采用本发明提供的...
何亮丁俊尚召华
文献传递
一种多晶硅铸锭用坩埚涂层以及制备方法
本发明涉及一种坩埚涂层,特别是一种陶瓷坩埚涂层,具体应用于多晶硅铸锭生产中,还涉及一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法。一种多晶硅铸锭用坩埚涂层,其中:所述的涂层配方中固含量包含80-99%重量比的氮化硅,1-20%重...
吕兴栋万跃鹏尚召华胡动力何亮
文献传递
一种将硅与杂质进行分离的方法
本发明涉及光伏或半导体领域中一种将硅和杂质进行分离的方法,采用造渣、扒渣的方法来分离硅中的碳化硅或氮化硅杂质,其操作步骤为:将混有杂质的硅料加热至硅液状态;向混有杂质的硅液中加入造渣剂,造渣剂与杂质反应;造渣剂与杂质反应...
丁俊尚召华何亮
一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料以及配置方法
本发明涉及一种半导体或光伏领域的多晶硅坩埚涂层制备用浆料,还涉及了该浆料的配置方法;一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料,包括氮化硅粉体,溶剂,其特征在于:氮化硅粉体经过氧化剂处理后得到表面覆有包裹型的氧化硅的氮化硅粉体。本发明...
胡动力尚召华何亮陈红荣
一种多晶硅铸锭用坩埚涂层以及制备方法
本发明涉及一种坩埚涂层,特别是一种陶瓷坩埚涂层,具体应用于多晶硅铸锭生产中,还涉及一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法。一种多晶硅铸锭用坩埚涂层,其中:所述的涂层配方中固含量包含80-99%重量比的氮化硅,1-20%重...
吕兴栋万跃鹏尚召华胡动力何亮
文献传递
一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料以及配置方法
本发明涉及一种半导体或光伏领域的多晶硅坩埚涂层制备用浆料,还涉及了该浆料的配置方法;一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料,包括氮化硅粉体,溶剂,其特征在于:氮化硅粉体经过氧化剂处理后得到表面覆有包裹型的氧化硅的氮化硅粉体。本发明...
胡动力尚召华何亮陈红荣
文献传递
共1页<1>
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