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梁锋

作品数：56 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 53篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 21篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 28篇激光
  • 28篇激光器
  • 26篇氮化镓
  • 16篇波导
  • 12篇氮化镓基激光...
  • 9篇阻挡层
  • 8篇外延片
  • 7篇电子阻挡层
  • 7篇载流子
  • 7篇紫外激光
  • 7篇紫外激光器
  • 7篇光电
  • 7篇发光
  • 6篇光场
  • 6篇掺杂
  • 6篇衬底
  • 5篇电阻
  • 5篇退火
  • 4篇氮化铝
  • 4篇氮化铝薄膜

机构

  • 56篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 56篇赵德刚
  • 56篇梁锋
  • 48篇刘宗顺
  • 45篇杨静
  • 40篇陈平
  • 21篇朱建军
  • 3篇江德生
  • 2篇陈振宇
  • 2篇韩伟华

传媒

  • 1篇中国激光

年份

  • 7篇2024
  • 8篇2023
  • 9篇2022
  • 9篇2021
  • 12篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 56 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于P型氮化镓的欧姆接触生成方法及半导体器件
本发明提供一种基于P型氮化镓的欧姆接触生成方法及半导体器件，涉及半导体技术领域，其中方法包括：在衬底上制备外延结构，外延结构包括以下至少一项：氮化镓缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、第一掺镁P型氮化镓层及第二掺镁P型氮化镓层；...
梁锋赵德刚刘宗顺杨静
一种紫外激光器外延片及其制备方法
本发明公开了一种紫外激光器外延片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：在非掺杂基础层上制备非掺杂过渡层，其中，非掺杂基础层包括非掺杂GaN基础层或非掺杂AlN基础层；在非掺杂过渡层上制备第一AlGaN限制...
杨静赵德刚梁锋陈平刘宗顺
一种提高空穴注入的氮化镓基激光器
本公开提供了一种提高空穴注入的氮化镓基激光器，包括P型电极和N型电极，还包括：第一限制层，设置于所述P型电极和所述N型电极之间，用于限制光场；多量子阱，设置于所述第一限制层与所述N型电极之间，用于使电子和空穴在此处发生辐...
侯玉菲赵德刚梁锋杨静陈平刘宗顺
文献传递
倒装阳极的纳米真空三极管结构及制备方法
一种倒装阳极的纳米真空三极管结构，包括：一衬底；一氮化铝薄膜阴极生长于衬底的正面；一金属电极制作在衬底的背面；形成阴极；一玻璃基板；一透明导电层制作在玻璃基板上；一第一绝缘层制作在透明导电层上，中间为窗口；一金属栅极制作...
梁锋陈平赵德刚侍铭刘宗顺江德生
文献传递
具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器
一种具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器包括一氮化镓同质衬底；一n型同质外延层；一n型限制层；一n型波导层；一有源区；一AlInN镁反向扩散阻挡层；一p型电子阻挡层；一p型波导层；一p型限制层，其制作在p型...
陈平赵德刚朱建军刘宗顺杨静梁锋
文献传递
具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器
一种具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器包括一衬底；一n型外延层；一n型限制层；一第一n型AlInN波导层；一第二n型AlInN波导层；一有源区；一AlInN波导层；一p型电子阻挡层；一p型AlInN波导层；一p型限制层...
陈平赵德刚朱建军刘宗顺杨静梁锋
文献传递
一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器
本公开提供了一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器，其中，氮化镓基激光器制备方法包括：在衬底的上表面制作n型限制层；在第一预设生长环境中在n型限制层的上表面制作下波导层；在下波导层的上表面制作量子阱有源区；在第二预设...
梁锋赵德刚陈平刘宗顺杨静
文献传递
GaN基激光器及其制备方法
本发明提供了一种氮化镓基激光器的制备方法，其包括以下步骤：S1：在氮化镓衬底上依次生长n型限制层、下波导层、量子阱有源区、复合上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型欧姆接触层；S2：将p型欧姆接触层、p型限制层、p型...
赵德刚梁锋
具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器
提供一种具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其结构包括：第一分布式布拉格反射器；位于第一分布式布拉格反射器上的p型区；位于p型区远离第一分布式布拉格反射器一侧的第一电子阻挡层；位于第一电子阻挡层远离第一分布式布拉格...
王亚晨赵德刚梁锋杨静刘宗顺
制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件
本公开提供了一种制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件。方法包括：第一温度下，在衬底上生长GaN缓冲层；将第一温度升至第二温度，并在第二温度下，在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；将第二温度降低...
陈振宇赵德刚梁锋刘宗顺陈平杨静
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