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王安琦

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：机械工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 2篇生长面
  • 2篇位错
  • 2篇介质层
  • 1篇氮化镓
  • 1篇氮化镓薄膜
  • 1篇导体
  • 1篇亚微米
  • 1篇深孔
  • 1篇神经网
  • 1篇神经网络
  • 1篇数值仿真
  • 1篇网络
  • 1篇微米
  • 1篇流场
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇基于神经网络
  • 1篇仿真

机构

  • 4篇浙江大学

作者

  • 4篇王安琦
  • 2篇陈韬
  • 2篇程志渊

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法
本发明公开了一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法，所述半导体衬底包含一个用于半导体材料外延的晶体生长面，以及一个或多个用于限制半导体材料生长的介质层表面。所述半导体材料生长方法为半导体材料选择性生长，通常情况下，所...
程志渊陈韬王安琦
文献传递
基于神经网络的气体超声波流量计安装效应补偿研究
随着天然气在全球一次消费能源占比的不断提升，天然气的计量仪器仪表市场也不断增大。相对于传统的计量仪表，超声波流量计具有宽量程比、高可靠性、高计量精度、无可动部件等优点，逐渐在市场上占有一席之地。我国的天然气储备量丰富，自...
王安琦
关键词：数值仿真BP神经网络
基于亚微米深孔的Si衬底上GaN选择性外延及横向外延
GaN是一种性能优越的第三代宽禁带半导体材料，直接带隙宽度为3.4eV，可以被用于制造高性能光电子器件、高功率电力器件以及高频电子器件等，具有广泛的应用前景和经济价值。然而，GaN晶体也是最难以获得的半导体材料之一。 G...
王安琦
关键词：半导体材料氮化镓薄膜
半导体衬底及选择性生长半导体的方法
本发明公开了一种半导体衬底及选择性生长半导体的方法，所述半导体衬底包含一个用于半导体材料生长的孔和一个促使半导体材料横向生长的腔，孔的底面是晶体生长面，孔的侧壁和腔的内表面均是用于限制半导体材料生长的介质层。通过上述衬底...
王安琦程志渊陈韬
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