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文献类型

  • 13篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇封装
  • 3篇电路
  • 3篇封装结构
  • 3篇封装外壳
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电镀
  • 2篇电镀挂具
  • 2篇电阻
  • 2篇端口
  • 2篇多端口
  • 2篇多品种
  • 2篇预成型
  • 2篇三阶交调
  • 2篇射频
  • 2篇收窄
  • 2篇贴装
  • 2篇腔体
  • 2篇小型化
  • 2篇连接器
  • 2篇模块封装

机构

  • 16篇中国电子科技...
  • 1篇河北中瓷电子...

作者

  • 16篇张磊
  • 6篇孔令甲
  • 5篇周彪
  • 5篇常青松
  • 5篇袁彪
  • 4篇连智富
  • 4篇韩玉朝
  • 4篇许向前
  • 3篇胡丹
  • 2篇孙雷
  • 2篇宋学峰
  • 1篇徐达
  • 1篇张越成
  • 1篇戈江娜
  • 1篇吴立丰
  • 1篇李保林
  • 1篇史光华
  • 1篇刘晓红
  • 1篇邹勇明

传媒

  • 1篇中国高新技术...
  • 1篇河北省科学院...
  • 1篇现代信息科技

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种负反馈型放大器
本发明属于电路领域,具体涉及一种负反馈型放大器。该负反馈型放大器包括负反馈电路和放大电路;负反馈电路,包括输入支路和输出支路,输入支路接收输入信号并传输给放大电路的输入端;输出支路接收放大电路的输出信号进行输出并将输出信...
孔令甲周彪王建许向前宋学峰韩玉朝张磊彭同辉李玺孙雷王旭东石光楠郭业达朱菲顾浩波
可拆卸模块化电镀挂具
本发明公开了一种可拆卸模块化电镀挂具,适用于多品种、小批量电镀产品生产技术领域。包括挂具框架和挂具模块,所述挂具框架上设有框架挂钩,挂具模块上设有模块挂钩,挂具模块通过模块挂钩与挂具框架活动连接;所述挂具框架内设有一个以...
张磊
文献传递
封装外壳镀层抗盐雾性能研究被引量:1
2016年
目前封装外壳提高抗盐雾性能的主要方法是采用镍金复合镀层,该方法成本高、工艺复杂、抗盐雾性能一般。文章从提高镀镍层致密度方面进行研究,通过提高镀镍层厚度、采用多层镍结构、对镀镍层进行镀后处理三种措施,改善外壳镀覆工艺和外壳抗盐雾性能。
张磊
关键词:封装外壳
微带贴片天线
本发明提供一种微带贴片天线,包括相互绝缘叠设为一体结构的第一基板、第二基板和第三基板,且所有基板相对设置的第一表面和第二表面均覆有金属层;在第一基板的第一表面的金属层上还设有金属辐射贴片、在第二表面的金属层上开有耦合缝隙...
周彪王建钟春斌孔令甲许向前刘晓红杜伟张磊胡丹彭同辉李德才郑腾飞
文献传递
氮化镓功率模块封装方法及加压装置
本发明提供了一种氮化镓功率模块封装方法及加压装置,属于功率模块封装技术领域,氮化镓功率模块封装方法包括:将密封胶印刷至成型模具的型腔内,将印刷了密封胶的成型模具保持水平状态放入60~90℃的真空烘箱内烘焙15~20min...
魏少伟袁彪常青松宋银矿汲琳张磊连智富于亮马鹏王净刘爱平张培庆
文献传递
一种负反馈型放大器
本发明属于电路领域,具体涉及一种负反馈型放大器。该负反馈型放大器包括负反馈电路和放大电路;负反馈电路,包括输入支路和输出支路,输入支路接收输入信号并传输给放大电路的输入端;输出支路接收放大电路的输出信号进行输出并将输出信...
孔令甲周彪王建许向前宋学峰韩玉朝张磊彭同辉李玺孙雷王旭东石光楠郭业达朱菲顾浩波
文献传递
高频微波多端口无谐振腔体封装结构
本发明提供了一种高频微波多端口无谐振腔体封装结构,属于微波技术领域,包括下盒体、内盖板以及上盖板,下盒体具有下腔体,下腔体的底部设有多个高频传输端口和多个用于安装低频功率器件的低频安装区;多个高频传输端口交汇的区域为高频...
周彪孔令甲韩玉朝王建胡丹彭同辉高立昆张磊李宇张鹏焦晓泽付少伟张明博
文献传递
超宽带高频互联结构及制备方法
本发明提供一种超宽带高频互联结构及制备方法,包括从下到上依次层叠设置的底层导电层、形变金属层和键合互联金属层,且底层导电层的两端分别和键合互联金属层的两端连接;形变金属层包括层叠设置的至少一个第一子金属层和至少一个第二子...
李仕俊孔令甲杨阳阳袁彪王建唐晓赫徐达常青松史光华王真王胜奎戈江娜王二超许向前王旭东张磊马成龙吴浩宇
小型化抗干扰电路封装结构及其制造方法
本发明提供了一种小型化抗干扰电路封装结构,属于数字电路设计领域,包括上基板,上基板顶面设有顶层元器件,底面上设有底层元器件;下基板,设于上基板底部,中部留空,留空与上基板的底面形成容纳腔;屏蔽层,设于上基板内部。该小型化...
郑宏斌吴立丰李晓斌崔贝贝张越成曹翠娇张磊李保林张恒晨邓志远
文献传递
基于GaN HEMT的S波段小型化内匹配功率管设计
2022年
采用总栅宽36 mm的0.5 um工艺GaN HEMT功率管芯,通过合理选择目标阻抗、优化匹配网络,设计了一款包含扼流电路的S波段小型化内匹配功率管。在+48 V、-3.1 V工作电压下,2.7~3.4 GHz内,功率管输出功率≥250 W,功率增益≥12 dB,功率附加效率≥60%,尺寸仅为15 mm×6.6 mm×1.5 mm,重量仅为0.6 g,显示出卓越的性能,具有广泛的工程应用前景。
王晓龙张磊
关键词:功率管GAN内匹配S波段小型化
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