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孙平

作品数:13 被引量:23H指数:3
供职机构:四川师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇机械工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 5篇晶体
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米晶
  • 4篇纳米晶体
  • 3篇电光
  • 3篇光学
  • 3篇SE
  • 3篇CDS
  • 2篇电光效应
  • 2篇电吸收
  • 2篇增透
  • 2篇氟化镁
  • 2篇概念设计
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶体
  • 1篇导体
  • 1篇电光性能
  • 1篇多晶
  • 1篇氧化物
  • 1篇英文

机构

  • 12篇北京师范大学
  • 3篇北京有色金属...
  • 2篇北京理工大学
  • 2篇四川师范大学

作者

  • 13篇孙平
  • 5篇王若桢
  • 5篇王引书
  • 3篇王武育
  • 2篇黄平
  • 2篇孙寅官
  • 2篇孙云峰
  • 2篇林永昌
  • 2篇颜其礼
  • 2篇丁凤莲
  • 1篇齐钰
  • 1篇张欣
  • 1篇张欣
  • 1篇郭屏

传媒

  • 3篇稀有金属
  • 2篇北京师范大学...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇物理实验
  • 1篇光学技术
  • 1篇光子学报
  • 1篇应用光学
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 4篇2000
  • 4篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1994
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CdS_(0.1)Se_(0.9)纳米晶体共振电吸收谱的线形分析
2000年
采用电调制技术在室温下测量了 Cd S0 .1 Se0 .9纳米晶体的电吸收谱 ,并对电吸收谱线形进行了分析。纳米晶体与第一个吸收峰有关的电吸收谱结构具有吸收系数对能量的二阶微商特征 ,表明第一激发态在电场作用下以吸收谱线的宽化为主 ,而纳米晶体尺寸不单一是吸收谱线宽化的主要因素。共振电光响应信号的峰值位置、过零点位置以及电吸收谱的线形几乎不随外电场强度而变化 ,信号幅度随外电场强度的平方线性增加。 Cd S0 .1 Se0 .9纳米晶体的电光效应是Kerr效应 ,纳米晶体具有三阶非线性光学极化率 Χ( 3 )。
孙平王若桢王引书林永昌
关键词:纳米晶体电光效应
依势透射率的概念设计诱导透射滤光片被引量:3
1995年
依势透射率的概念从理上确定了诱导透射滤光片金属膜层的厚度,免去了传统方法中繁锁的修正工作。再根据特征矩阵的概念进行诱导透射滤光片的精确设计。该方法的间隔层适合任意材料。文中还对带宽的压缩和背景的抑制进行了讨论。
孙平齐钰
关键词:间隔层光学薄膜
CdS_(0.1)Se_(0.9)半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究被引量:4
2000年
采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动 ,将理论计算与实验结果进行了比较 .
孙平王引书颜其礼黄平林永昌王若桢
关键词:半导体纳米晶体吸收光谱
LiNbO3:Fe3+晶体中Fe3+离子的电调制光谱
近十几年来电吸收谱方法被广泛用于半导体超晶格、量子阱、量子点等微结构的电子态研究中,并以其高灵敏和
颜其礼王引书孙平黄平王若桢
文献传递
无限层薄膜(Sr,Ca)CuO_2的相分析
1998年
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在400~670℃和7~70Pa氧压下制备了(Sr,Ca)CuO2无限层薄膜.通过薄膜的X光衍射(XRD)测量来进行薄膜的相分析.A2CuO3+δ(A代表Sr,Ca)相在SrTiO3,LaAlO3,CaNdAlO4和MgO衬底上在400~600℃极易生成,而无限层ACuO2+δ相只能在高于470℃和相配的SrTiO3和LaAlO3;衬底上生成.在SrTiO3衬底上当温度高于600℃时,A2CuO3+δ相开始消失,出现了一个新的正交的绝缘相.
孙平孙云峰牛家胜丁凤莲孙寅官
关键词:高温超导相分析氧化物
CdS_(0.1)Se_(0.9)纳米晶体共振电光效应(英文)
2000年
采用电吸收谱 (EA)的方法研究了在电场作用下 ,Cd S0 .1Se0 .9纳米晶体光学性质的变化 .分析了电场效应的物理机制 ,电场效应是使纳米晶体的吸收谱展宽和移动 .第一激发态对外加电场敏感 ,而其它激发态不敏感 .从电吸收谱上得到电光响应信号幅度与外加电场场强的平方成正比 ,表明纳米晶体的电光效应是 Kerr效应 ,具有三阶非线性极化率 χ( 3) .
孙平王引书王若桢林永昌颜其礼黄平
关键词:纳米晶体电吸收电光效应
非共振区纳米晶体的电光性能
采用两部退火方法生长了镶嵌在玻璃中的CdSeS半导体纳米晶体,利用分光光度仪和电调制光谱研究了纳米晶体的光吸收及电场作用下的电光响应。在直流偏置方波电场的调制下,在非共振区域观察到CdSeS纳米晶体的电光响应,即光学常数...
王引书孙平王若桢
文献传递
薄膜样品的表面状态及制备条件对椭偏仪测量结果的影响被引量:2
1998年
本文比较了不同表面状态的薄膜和用不同制备条件获得的薄膜的折射率和厚度椭圆偏振光法(以下简称椭偏光法)测量的结果,并分析了引起测量结果偏差的原因.
孙平郭屏
关键词:折射率
氟化镁单晶体与多晶体成膜后薄膜耐磨性分析被引量:6
2001年
分析了氟化镁单晶体与多晶体成膜过程的行为 ,得出了二者不同的聚集方式是造成薄膜耐磨性差异的原因这一结论。给出了改善单晶氟化镁耐磨性的最佳退火条件 :35 0℃退火 2h。
王武育孙平代桂君
关键词:氟化镁耐磨性增透膜单晶多晶
化合物薄膜的光学增透特性及其应用被引量:7
1997年
对几种典型的化合物薄膜的增透原理、增透功效、光学增透材料的主要性能及应用前景进行了较为详尽的分析和叙述。
王武育张欣张欣
关键词:增透光学性能
共2页<12>
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