您的位置: 专家智库 > >

郝凤珠

作品数:4 被引量:11H指数:2
供职机构:电子部更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电气工程
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 4篇超导
  • 2篇导体
  • 2篇超导体
  • 1篇钛系
  • 1篇微波器件
  • 1篇RF-SQU...
  • 1篇SQUID
  • 1篇TI
  • 1篇YBCO
  • 1篇YBCO超导...
  • 1篇DC
  • 1篇超导薄膜
  • 1篇超导材料
  • 1篇磁通
  • 1篇磁通变换器

机构

  • 2篇南开大学
  • 2篇中国计量科学...
  • 2篇电子部
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇郝凤珠
  • 3篇阎少林
  • 2篇薛寿清
  • 2篇陈季文
  • 1篇杨秉川
  • 1篇张朝兴
  • 1篇彭正顺
  • 1篇石东奇
  • 1篇张其劭
  • 1篇孙丽虹
  • 1篇薜寿清
  • 1篇罗正祥
  • 1篇霍玉华
  • 1篇王瑞坤
  • 1篇王小平
  • 1篇卢剑
  • 1篇马继勇
  • 1篇任向阳
  • 1篇罗志良

传媒

  • 3篇低温与超导
  • 1篇稀有金属

年份

  • 2篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1990
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
用于微波器件的大面积YBCO超导薄膜被引量:6
1994年
高质量大面积YBCO簿膜是用原位中空柱状阴极直流磁控溅射装置制备的。化学计量比的超导靶的内在为100mm,加热器有效面积50×40mm ̄2。在30×30mm ̄2的Zr(Y)O_2LaAlO_3基片上沉积的YBCO薄膜的厚度均匀度为±6%,临界温度T_c>89K,T_c不均匀性在1%以内,△Tc在0.8~0.9之间,临界电流密度J_c为20~3.5×10 ̄6A/cm ̄2;△J_c为1.0~1.5A/cm ̄2。微波表面电阻在77.5K、9894MHz下,测得Rs在0.25~0.76mΩ。以上参数表明该YBCO超导薄膜可在无源微波器件领域应用。YBCO超导薄膜沿C轴生长时的临界电梳密度J_c比沿a轴和b轴生长时的临界电流密度J_c大两个数量级,微波表面电阻可差一个数量级。所制备的YBCO薄膜样品经X射线衍射分析表明,是纯C轴垂直于基体表面的外延薄膜。SEM电子沟道和TEM截面电子衍射结果表明,在Zr(Y)O_2和LaAIO_3基体上沉积的薄膜为单晶结构。用该薄膜做出了性能良好YBCO超导带状线谐振器,其Q_0(无载品质因素)值达到13100。做出的环形微带谐振器,直线式微带谐振器,超导天线均性能良好,已可作为单独?
王小平杨秉川石东奇彭正顺王瑞坤孙丽虹张其劭卢剑罗正祥任向阳郝凤珠
关键词:超导体YBCO
带磁通变换器的TI系薄膜DC—SQUID被引量:1
1992年
我们在制备了TlBaCaCuO薄膜DC—SQUID的基础上,又研制了平面型带磁通变换器的DC—SQUID。磁通变换器与DC—SQUID制备在同一片薄膜衬底上,避免了分立单片耦合对准的困难.带磁通变换器的DC—SQUID在磁通锁定模式下,在77K温度中,在0~1Hz处测量磁通噪声为4.9×10^(-4)φo/Hz^(1/2),作为磁强计使用,磁场灵敏度提高了6倍。
郝凤珠薛寿清阎少林
关键词:磁通钛系超导材料
双孔TI系薄膜RF-SQUID
1994年
用高TcTlBaCuO超导薄膜制作成功了双孔RF-SQUID。在液氮温度测试三角波的峰一峰值为10μV,信噪比明显优于YBaCuO薄膜器件。在没有磁屏蔽的情况下,磁通分辨率优于。
郝凤珠张朝兴阎少林薛寿清陈季文
关键词:超导体RF-SQUID
高T_c薄膜DC-SQULDs的研制被引量:4
1990年
研制的 T(?)BaCaCuO 超导薄膜 DC—SQUID 在77K 温度下测量磁通噪声为9.4×10^(-5)Φ_0/(Hz)^(1/2),能量分辨率为1.1×10^(-28)J/Hz(10Hz)。器件为平面型,由两个微桥 Josephson 结和一个环构成,用光刻湿法化学腐蚀制成。器件的2I_c 一般为100~400μA,桥区尺寸为2×2μm^2,环电感为180pH。器件对外加磁通周期响应的三角波幅度一般为2~20μV_(pp)。
郝凤珠陈季文罗志良马继勇阎少林霍玉华薜寿清
共1页<1>
聚类工具0