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贺竞辉

作品数：96 被引量：0H指数：0
供职机构：苏州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术理学化学工程医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 92篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 22篇自动化与计算...
  • 8篇理学
  • 4篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇环境科学与工...
  • 2篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 32篇感器
  • 32篇传感
  • 32篇传感器
  • 29篇存储器
  • 29篇存储器件
  • 28篇叉指电极
  • 24篇镀膜
  • 24篇镀膜材料
  • 18篇SUB
  • 15篇钙钛矿
  • 14篇机电
  • 13篇二氧化氮
  • 12篇方酸
  • 11篇刷涂
  • 11篇催化
  • 10篇湿敏
  • 10篇湿敏传感器
  • 10篇进制
  • 8篇电极
  • 8篇纳米

机构

  • 96篇苏州大学

作者

  • 96篇贺竞辉
  • 92篇路建美
  • 3篇徐庆锋
  • 3篇肖昕
  • 2篇李娜君
  • 2篇王丽华
  • 2篇张峰
  • 2篇李华
  • 1篇钱文虎
  • 1篇蒋军
  • 1篇李华

传媒

  • 1篇高分子通报
  • 1篇试题与研究（...

年份

  • 14篇2023
  • 14篇2022
  • 20篇2021
  • 12篇2020
  • 9篇2019
  • 15篇2018
  • 6篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
共 96 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于钙钛矿的湿敏传感器及其制备方法和用途
本发明公开了一种基于钙钛矿Cs<Sub>2</Sub>PdBr<Sub>6</Sub>的湿敏传感器及其制备方法和用途。具体而言，本发明的湿敏传感器包含镀膜材料和叉指电极，镀膜材料为钙钛矿Cs<Sub>2</Sub>PdB...
路建美贺竞辉叶文
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基于多巴胺的自聚电存储材料及其制备方法与在电存储器件中的应用
本发明公开了基于多巴胺的自聚电存储材料及其制备方法与在电存储器件中的应用，针对目前有机电存储材料的制备过程复杂，环境及高温稳定性差等问题，利用多巴胺的自聚合生成聚合物制备成三明治结构的有机电存储器件，成功实现了有机电存储...
路建美贺竞辉
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基于方酰胺聚合物的二氧化氮传感器及其制备方法和用途
本发明公开了基于方酰胺聚合物的二氧化氮传感器及其制备方法和用途，并对传感器制备方式条件进行了优化；基于方酰胺聚合物的二化氮传感器包括叉指电极以及覆于叉指电极上的镀膜材料，镀膜材料为方酰胺聚合物，显示出对二氧化氮的优异的传...
路建美贺竞辉
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可用于低浓度二氧化氮的方酸菁聚合物传感器及其应用
本发明公开了可用于低浓度二氧化氮的方酸菁聚合物传感器及其应用，为基于含共轭双离子结构的对苯胺基方酸菁聚合物的二氧化氮电阻式传感器；公开的基于含共轭双离子结构的对苯胺基方酸菁聚合物的二氧化氮传感器包括叉指电极以及覆于叉指电...
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Pt@Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>T<Sub>X</Sub> MXene催化材料及其电极与制备方法和在还原氯霉素中的应用
本发明公开了一种Pt@Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>T<Sub>x</Sub> MXene催化材料及其电极与制备方法和在电化学还原氯霉素中的应用，将H<Sub>2</Sub>PtCl<Sub>6<...
路建美贺竞辉
Cs<Sub>3</Sub>Bi<Sub>2</Sub>Br<Sub>9</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>钙钛矿异质结及其制备方法与在光催化甲苯氧化中的应用
本发明公开了Cs<Sub>3</Sub>Bi<Sub>2</Sub>Br<Sub>9</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>钙钛矿异质结及其制备方法与在光催化甲苯氧化中的应用，搅拌下，将CsBr和BiBr<Sub>3...
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一种基于拟卤素诱导的二维钙钛矿电存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于拟卤素诱导的二维钙钛矿(CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>)<Sub>2</Sub>PbI<Sub>2</Sub>(SCN)<Sub>2</Sub>的电存储器件及其制备方法；制备...
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方酰胺聚合物、基于方酰胺聚合物的VOC传感器及其制备方法
本发明公开了基于方酰胺聚合物的VOC传感器及其制备方法，合成了三种基于离子共轭方酰胺聚合物的气敏材料，并刷涂在叉指电极上制备成挥发性有机物气体传感器件。本发明的基于方酰胺聚合物的VOC传感器显示出对挥发性有机气体拥有优秀...
路建美贺竞辉
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一种基于方酸衍生物的氨气传感器及其制备方法和用途
本发明公开了一种基于方酸衍生物的氨气传感器及其制备方法和用途。具体而言，本发明的氨气传感器包括叉指电极和镀膜材料，该镀膜材料为如式I所示的方酸衍生物MSA，其通过真空镀膜技术镀于叉指电极上，并且其厚度为100~200 n...
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一种基于方酸衍生物的氨气传感器的制备方法
本发明公开了一种基于方酸衍生物的氨气传感器的制备方法。具体而言，本发明的氨气传感器包括叉指电极和镀膜材料，该镀膜材料为如式I所示的方酸衍生物MSA，其通过真空镀膜技术镀于叉指电极上，并且其厚度为100~200 nm。本发...
路建美贺竞辉
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