您的位置: 专家智库 > >

葛剑峰

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:上海交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 3篇输运
  • 2篇导线
  • 2篇电极接触
  • 2篇扫描隧道显微...
  • 2篇四探针
  • 2篇探头
  • 2篇探针
  • 2篇铜导线
  • 2篇STM
  • 1篇导电
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇SRTIO3
  • 1篇FESE
  • 1篇测量系统
  • 1篇超导
  • 1篇超导电性
  • 1篇衬底

机构

  • 5篇上海交通大学

作者

  • 5篇葛剑峰
  • 4篇贾金锋
  • 4篇刘灿华
  • 2篇钱冬
  • 1篇李耀义
  • 1篇高春雷
  • 1篇管丹丹
  • 1篇刘志龙
  • 1篇姚钢

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
基于STM的微区四探针的研制与界面超导电性的原位测量
晶体的表面和界面处由于自由度降低,会产生许多新奇的低维量子现象。测量固体表面或者薄膜材料的晶体结构、电子态结构和电输运性质不仅是研究材料物理性质的重要手段,也为器件开发指明了方向。材料的电导性质主要通过电输运测量来表征。...
葛剑峰
与STM兼容之微区四探针表面输运测量系统
微电子器件的不断微小化,晶体材料表面的存在对材料的电学磁学性能的影响受到日益广泛的关注,亦有人提出能否将晶体表面所特有的电磁学特性应用于未来的器件开发当中[1].而另一方面,晶体表面降低了其中的电子空穴等载流子的空间自由...
葛剑峰高春雷钱冬刘灿华贾金锋
关键词:STM
三维微驱四电极可置换探头
本发明公开了一种三维微驱四电极可置换探头。该探头包括四电极探针座和与其配套的三维微驱四电极底座。本发明在四电极探针座的针尖架螺纹杆底部,采用陶瓷绝缘片隔离的三个铜电极,与针尖架螺纹杆一起分别和内置于三维微驱四电极底座的扫...
刘灿华葛剑峰贾金锋
文献传递
三维微驱四电极可置换探头
本发明公开了一种三维微驱四电极可置换探头。该探头包括四电极探针座和与其配套的三维微驱四电极底座。本发明在四电极探针座的针尖架螺纹杆底部,采用陶瓷绝缘片隔离的三个铜电极,与针尖架螺纹杆一起分别和内置于三维微驱四电极底座的扫...
刘灿华葛剑峰贾金锋
SrTiO3(001)衬底上多层FeSe薄膜的分子束外延生长被引量:1
2016年
近几年,由于用分子束外延法在SrTiO_3衬底表面制备的单层FeSe具有很高的超导转变温度而引发了极大的研究热潮,随之而来的是对多层FeSe薄膜日益增长的研究兴趣.但目前还没有对成功生长高质量多层FeSe薄膜的详细报道.本文利用高能电子衍射仪(RHEED)实时监控在不同生长条件下制备的多层FeSe薄膜,发现在FeSe薄膜的生长初期,RHEED图像的强度演化基本符合台阶密度模型的描述特征,即台阶密度ρ正相关于衍射条纹强度.FeSe(02)衍射条纹的强度在第一生长周期内呈现稳定而明显的峰型振荡,而且不受高能电子掠射角的影响,最适合用来标定FeSe薄膜的厚度.结合扫描隧道显微镜对FeSe薄膜质量的原位观察,确定了制备多层FeSe薄膜的最佳生长条件,为FeSe薄膜的物性研究提供了重要的材料基础.
张马淋葛剑峰段明超姚钢刘志龙管丹丹李耀义钱冬刘灿华贾金锋
关键词:FESE分子束外延
共1页<1>
聚类工具0