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裴惠芳

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：清华大学研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇基片
  • 1篇机械抛光
  • 1篇钛

机构

  • 1篇清华大学
  • 1篇清华大学研究...

作者

  • 1篇戴媛静
  • 1篇潘国顺
  • 1篇裴惠芳
  • 1篇刘岩

传媒

  • 1篇摩擦学学报（...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
钛基片的化学机械抛光技术研究被引量：5
2011年
采用化学机械抛光(CMP)方法对钛基片进行纳米级平坦化处理,通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后,得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率.抛光液的电化学分析结果表明:二氧化硅颗粒和乳酸在钛表面有不同程度的吸附缓蚀作用,氨水和F-的络合、扩散作用能破坏缓蚀膜层,两者的中间平衡状态才能得到最佳抛光效果.抛光后钛表层XPS测试结果显示钛表层经过化学氧化形成疏松氧化层后,再通过磨粒和抛光垫的机械作用去除.
戴媛静裴惠芳潘国顺刘岩
关键词：化学机械抛光
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