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一种薄膜太阳能电池缓冲层后处理工艺: 本发明提供一种薄膜太阳能电池缓冲层后处理工艺，包括：提供表面形成有吸收层的薄膜太阳能电池，配置反应溶液，采用化学水浴法将所述反应溶液沉积于所述吸收层表面形成缓冲层，之后将所述缓冲层置于水溶液中进行浸泡处理，最后取出，用氮...; 柳效辉韩安军王宪黄勇亮孟凡英刘正新; 文献传递

H2Se/H2S硒硫化制备超薄铜铟镓硒硫太阳电池的研究: 阐述了共溅射制备金属预制层，由于In熔点较低，薄膜表面存在较多凸起聚集物。经过低温硒化，薄膜表面粗糙度有所改善，但结晶质量较差，且存在合金相和二元相。高温退火处理加速元素间反应，薄膜为单一黄铜矿结构，结晶质量明显改善，带...; 韩安军黄勇亮王宪柳效辉褚家宝孟凡英刘正新; 关键词：太阳电池

CIGSeS薄膜太阳电池的H2S硫化研究: 2020年; 采用H2S硫化的方法制备铜铟镓硒硫(Cu(In1-xGax)(Se1-ySy)2,CIGSeS)吸收层,研究硫化温度和时间对CIGSeS吸收层和电池性能的影响。结果表明,550~580℃硫化处理时,电池的开路电压得到有效提升,但硫化温度为600℃时,薄膜表面出现局部开裂现象,电池短路电流和效率严重下降。硫化处理可促进铜铟镓硒(Cu(In1-xGax)Se2,CIGSe)吸收层内Ga元素向表面扩散,Ga和S的共同作用可有效提高吸收层表面带隙和太阳电池的开路电压。最终,采用580℃硫化30 min条件下制备的太阳电池开路电压比硫化处理前提高约80 mV,填充因子提高约5%,最高效率为13.69%,有效面积效率为14.62%。而采用580℃硫化10 min后再降温硫化20 min的变温硫化工艺不仅可减少热预算,而且可制备出同580℃恒温硫化30 min时转换效率相当的太阳电池。; 王宪韩安军韩安军韦小庆刘正新; 关键词：H2S 硫化太阳电池开路电压

H_2Se气体硒化中温度对CIGS吸收层特性的影响被引量：1: 2016年; 采用H_2Se气体对铜-铟-镓金属预制层进行硒化制备铜铟镓硒(CIGS)光吸收层,研究硒化过程中温度对CIGS结晶质量及光学特性的影响。400~500℃单一温度硒化制作的CIGS薄膜的表面平整性较差,存在颗粒状聚集物。在硒化前引入200℃低温预处理过程,可提高CIGS薄膜表面的平整性和致密性。在400℃硒化后导入500℃高温热处理过程可提高CIGS的结晶质量并改善Ga元素掺入的均匀性。光学特性测量显示,优化硒化温度可降低CIGS薄膜的缺陷态,从而提高Ga元素在薄膜中的掺入效果,CIGS薄膜的光学带隙可达1.14 e V。利用CIGS薄膜制备的太阳电池光电转换效率达13.1%,开压为519 m V,有效面积为0.38 cm^2。; 于海华黄勇亮王宪柳效辉褚家宝韩安军孟凡英刘正新; 关键词：结构特性光学特性

气体硒化制备CIGS太阳电池中退火温度及反应中间相对薄膜性能的影响: 硒化后高温退火的工艺适合制备高效率的CIGS电池，而且当退火温度增加到580℃时薄膜的结晶性和Ga元素的纵向分布显著改善，这可能是因为硒化反应中间相在580℃退火时产生了液相，加速了重结晶和Ga扩散。通过硒化后580℃退...; 黄勇亮韩安军王宪柳效辉褚家宝吴敏孟凡英刘正新; 关键词：太阳能电池退火温度

铜铟镓硒吸收层后处理方法及基于其的太阳电池制备方法: 本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法及基于其的太阳电池制备方法，后处理方法包括：配置具有预设摩尔浓度碱性物质的刻蚀溶液，其中，所述预设摩尔浓度大于8mol/L；提供铜铟镓硒吸收层，并采用所述刻蚀溶液对所述...; 王宪韩安军韦小庆黄勇亮刘正新; 文献传递

H2Se气体硒化中温度对CIGS吸收层特性的影响: 1研究背景铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2:CIGS)薄膜太阳电池最高效率达21.7 ％较多晶硅光伏电池效率领先1.3 ％2研究内容实验方法一步温度硒化单一的CIGS黄铜矿相形成温度在380℃附近,因此,首先采...; 于海华黄勇亮王宪柳效辉褚家宝韩安军孟凡英刘正新

铜铟镓硒吸收层后处理方法及基于其的太阳电池制备方法: 本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法及基于其的太阳电池制备方法，后处理方法包括：配置具有预设摩尔浓度碱性物质的刻蚀溶液，其中，所述预设摩尔浓度大于8mol/L；提供铜铟镓硒吸收层，并采用所述刻蚀溶液对所述...; 王宪韩安军韦小庆黄勇亮刘正新

一种薄膜太阳能电池吸收层碱金属掺入方法: 本发明提供一种薄膜太阳能电池吸收层碱金属掺入方法，所述掺入方法至少包括：提供待处理的薄膜太阳能电池吸收层，配置含有碱金属离子的溶液，采用非真空镀膜的方法将所述碱金属离子溶液沉积于所述吸收层表面，并将所述吸收层放置于热处理...; 韩安军柳效辉黄勇亮王宪吴敏孟凡英刘正新; 文献传递

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王宪