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张溢

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：湘潭大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇铁电
  • 3篇存储器
  • 2篇电极
  • 2篇读取方法
  • 2篇信息存储
  • 2篇信息存储技术
  • 2篇隧道结
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇擦除
  • 2篇超薄膜
  • 1篇电感
  • 1篇电感材料
  • 1篇电感器
  • 1篇动力学
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇随机存储器
  • 1篇铁电薄膜材料
  • 1篇铁电存储器
  • 1篇微结构

机构

  • 6篇湘潭大学

作者

  • 6篇张溢
  • 5篇王金斌
  • 5篇钟向丽
  • 2篇郭红霞
  • 2篇侯鹏飞
  • 1篇周益春
  • 1篇谭丛兵
  • 1篇丁涛

传媒

  • 1篇现代应用物理

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
光擦除和读取的铁电隧道结存储单元及其擦除和读取方法
本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种光擦除和读取的铁电隧道结存储单元及其擦除和读取方法。包括依次堆叠的衬底、半导体下电极、铁电超薄膜和二维材料半导体上电极，半导体下电极位于衬底和铁电超薄膜之间，铁电超薄膜位于二维材料...
侯鹏飞钟向丽张溢王金斌郭红霞
铁电薄膜及其存储器中的畴动力学和微结构研究
信息存储是决定信息技术发展的关键环节之一，关系到国防安全及国计民生。更高密度、更高存取速度、更低功耗、更多可擦写次数、更长保持时间是存储器发展的要求。与常用的闪存相比，铁电存储器写入速度快三个数量级，可读写次数高五个数量...
张溢
关键词：铁电薄膜微结构
金属-铁电层(BNT)-绝缘层(YSZ)-半导体(Si)二极管的存储特性及可靠性研究被引量：1
2017年
制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体(Pt/Bi_(3.15)Nd_(0.85)T_i3O_(12)/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。
粟诗雨宋宏甲钟向丽张溢王金斌
关键词：铁电存储器MFISBNT
一种无线圈结构的动态极化涡旋巨电感器及其制备方法
本发明公开了一种无线圈结构的动态极化涡旋巨电感器及其制备方法，巨电感器的结构从下至上依次为衬底、底电极层、电感材料层和顶电极，其中电感材料层为具有动态极化涡旋的铁电薄膜材料。相比于传统线圈式的电感器而言，本发明提供的基于...
钟向丽吴祎玮王金斌谭丛兵张溢何家怡宋宏甲
光擦除和读取的铁电隧道结存储单元及其擦除和读取方法
本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种光擦除和读取的铁电隧道结存储单元及其擦除和读取方法。包括依次堆叠的衬底、半导体下电极、铁电超薄膜和二维材料半导体上电极，半导体下电极位于衬底和铁电超薄膜之间，铁电超薄膜位于二维材料...
侯鹏飞钟向丽张溢王金斌郭红霞
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一种硅基铁电栅薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种硅基铁电栅薄膜晶体管及其制备方法，该晶体管底层为斜切单晶硅衬底(1)，中间层从下到上依次为钙钛矿导电氧化物底栅电极(2)、铁电绝缘层(3)和氧化物半导体有源层(4)，顶层为晶体管源极(5)和漏极(6)；其...
钟向丽丁涛张溢宋宏甲王金斌周益春
文献传递
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