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黄辉祥

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：集美大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇漏电
  • 4篇漏电流
  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 2篇底电极
  • 2篇电流
  • 2篇电流特性
  • 2篇短沟效应
  • 2篇太赫兹
  • 2篇太赫兹光谱
  • 2篇自适
  • 2篇自适应
  • 2篇自适应小波
  • 2篇阈值
  • 2篇阈值电压
  • 2篇阈值电压解析...
  • 2篇阈值函数
  • 2篇阈值选取
  • 2篇小波
  • 2篇小波基

机构

  • 10篇集美大学

作者

  • 10篇黄辉祥
  • 6篇李铁军
  • 5篇韦素芬
  • 4篇潘金艳
  • 4篇袁占生
  • 4篇高云龙
  • 3篇耿莉
  • 2篇黄鹏飞
  • 2篇邵桂芳
  • 2篇陈金海
  • 2篇吴一亮
  • 2篇邵志标
  • 2篇张国和
  • 1篇郑佳春
  • 1篇邱邑亮
  • 1篇唐凯
  • 1篇徐文斌

传媒

  • 1篇电子世界

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种体接电位PD‑SOI MOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法
本发明一种计算硅膜掺杂为高斯分布的体接电位的部分耗尽绝缘体上硅晶体管的二维阈值电压解析模型。考虑短沟效应的影响，采用分离变量的思想方法，将硅膜全耗尽并弱反型情况下耗尽区的电势分布函数分解为长沟器件电势分布函数与短沟器件电...
韦素芬黄辉祥张国和邵志标耿莉
文献传递
一种阻变存储器
本发明公开一种阻变存储器。本发明提供的阻变存储器包括：底电极、MgO纳米线、碳纳米管电极和顶电极。其中，多根MgO纳米线位于底电极的上表面，每一MgO纳米线的顶端与一个碳纳米管的底端直接接触，形成异质结接触；各个碳纳米管...
潘金艳高云龙李明逵黄辉祥李铁军高朋
文献传递
集成电路设计大赛缓解高校青年教师教学与科研矛盾
2015年
针对近年来国内高校微电子专业新进青年教师的教学与科研矛盾,提出以集成电路设计竞赛为手段,打破传统思维习惯,帮助青年教师化解教学与科研双重压力。依托教学内容和科研课题,以解决实际问题为出发点参与集成电路设计大赛,既能提高教学效果,又能促进科研工作。同时对高校的工科专业也有一定的借鉴意义。
黄辉祥袁占生吴一亮
关键词：集成电路设计教学改革青年教师
低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法
本发明涉及集成电路器件技术领域，设计/研究具体为低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法，本发明的MgO纳米线RRAM设计具有纳米线结构MgO阻变层，纳米线使MgO带隙提高而更有效抑制漏电流，纳米线结构使得R...
潘金艳高云龙李明逵李铁军黄辉祥袁占生韦素芬
文献传递
一种阻变存储器
本发明公开一种阻变存储器。本发明提供的阻变存储器包括：底电极、MgO纳米线、碳纳米管电极和顶电极。其中，多根MgO纳米线位于底电极的上表面，每一MgO纳米线的顶端与一个碳纳米管的底端直接接触，形成异质结接触；各个碳纳米管...
潘金艳高云龙李明逵黄辉祥李铁军高朋
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一种改进型自适应小波太赫兹图像去噪方法
本发明涉及一种改进型自适应小波太赫兹图像去噪方法，包括以下步骤：输入待去噪的原始太赫兹图像；将原始太赫兹图像进行像元区分；对像元进行模糊C均值方法聚类，原始太赫兹图像分成五个部分；计算五个部分的各自平均纹理值，将每个部分...
李铁军陈金海梅强黄辉祥黄鹏飞陆欣泽邵桂芳
低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法
本发明涉及集成电路器件技术领域，设计/研究具体为低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法，本发明的MgO纳米线RRAM设计具有纳米线结构MgO阻变层，纳米线使MgO带隙提高而更有效抑制漏电流，纳米线结构使得R...
潘金艳高云龙李明逵李铁军黄辉祥袁占生韦素芬
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一种抗单粒子瞬态加固SOI器件及其制备方法
本发明涉及微电子技术领域。本发明公开了一种抗单粒子瞬态加固SOI器件，包括衬底、埋氧层、半导体体区、漏区、源区、栅区、栅侧墙、LDD区和重掺杂的源延伸区，所述埋氧层位于衬底之上，所述半导体体区、源区和漏区位于埋氧层之上，...
黄辉祥耿莉韦素芬唐凯袁占生徐文斌吴一亮邱邑亮郑佳春
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一种改进型自适应小波太赫兹图像去噪方法
本发明涉及一种改进型自适应小波太赫兹图像去噪方法，包括以下步骤：输入待去噪的原始太赫兹图像；将原始太赫兹图像进行像元区分；对像元进行模糊C均值方法聚类，原始太赫兹图像分成五个部分；计算五个部分的各自平均纹理值，将每个部分...
黄辉祥陈金海梅强李铁军黄鹏飞陆欣泽邵桂芳
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一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法
本发明一种计算硅膜掺杂为高斯分布的体接电位的部分耗尽绝缘体上硅晶体管的二维阈值电压解析模型。考虑短沟效应的影响，采用分离变量的思想方法，将硅膜全耗尽并弱反型情况下耗尽区的电势分布函数分解为长沟器件电势分布函数与短沟器件电...
韦素芬黄辉祥张国和邵志标耿莉
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