焦飞
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西北师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程化学工程更多>>
- Cd^+离子5s^2S_(1/2)→5p^2P_(3/2)电子碰撞激发截面和退激辐射光子极化度的理论研究
- 2015年
- 本文采用全相对论扭曲波方法计算了Cd^+离子5s^2S_(1/2)→5p^2P_(3/2)电子碰撞激发总截面、磁能级的激发截面以及退激辐射光子极化度.详细讨论了电子关联效应对激发截面以及退激辐射光子极化度的影响.我们发现,在低能碰撞部分(<10eV),Core-价关联对电子碰撞激发截面的贡献非常重要,与不考虑Core-价关联的结果相比,Core-价关联的计算结果使得激发截面降低了1/2到2/3;在高能碰撞部分(>80 eV),Core-价关联的贡献不是非常明显,但与不考虑Core-价关联的结果相比,其激发截面也降低了15%.然而,对于退激辐射光子极化度,Core-价关联的贡献非常小,其影响是可以忽略的.
- 焦飞蒋军颉录有张登红董晨钟陈展斌
- 关键词：极化度
- Cd+离子5s2S1/2→Sp2P3/2电子碰撞激发截面与退激辐射光子极化度
- 电子碰撞激发是高温等离子体、实验室等离子体和天体等离子体中重要的物理过程.电子与原子(离子)碰撞激发截面以及退激光子极化度对天体元素丰度的分析、对天体辐射动力学过程的认识、对等离子体物理条件的判断等都具有重要应用价值.
- 焦飞蒋军颉录有张登红董晨钟
