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四种半导体单晶体的变形与断裂行为研究: Si、Ge、InP和GaAs四种单晶半导体材料是目前微电子器件中较为重要的电子材料。由于单晶体的各向异性及材料的外部加载方式不同，材料往往表现出不同形变与开裂行为，强度与断裂韧性存在面内的各向异性。开展这些性能的研究及对...; 尧志刚; 关键词：塑性变形显微硬度断裂韧性各向异性加载速率

几种单晶半导体材料在压痕下的变形与断裂行为比较被引量：3: 2009年; 采用显微压痕方法研究了Si、Ge、GaAs和InP四种半导体单晶的变形与断裂行为.通过测量[100]取向单晶体面内的显微硬度、裂纹开裂的临界压痕尺寸以及断裂韧性,分析了这四种材料力学性能的面内各向异性行为.结果表明:在压痕载荷的作用下,Si和Ge的塑性变形以剪切断层为主,而GaAs和InP则通过滑移系的开动协调变形.[100]取向的Si、Ge、GaAs和InP四种单晶的面内显微硬度、弹性模量和断裂韧性表现出不同程度的各向异性.裂纹长度与压痕尺寸间的关系表明,与GaAs和InP相比,Si、Ge具有较小的临界压痕尺寸和拟合直线斜率,这一临界压痕尺寸和拟合直线斜率的变化规律分别与材料的硬度和断裂韧性的变化规律一致.; 尧志刚朱晓飞张广平; 关键词：无机非金属材料半导体材料显微硬度各向异性

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尧志刚