谢挺
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：武汉科技大学更多>>
- 发文基金：材料成形与模具技术国家重点实验室开放基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- 射频反应磁控溅射制备的SnO_2及SnO_2:F薄膜结构与透明导电性能被引量：2
- 2017年
- 以Sn和Sn+SnF_2为靶材,采用射频(RF)反应磁控溅射法在150℃不同O_2流量下制备了厚度约为300 nm的SnO_2和SnO_2:F薄膜。通过X射线衍射、Hall效应测试系统和紫外–可见分光光度计研究了两种薄膜的结构和透明导电性能。结果表明:随O_2流量增加,SnO_2薄膜由非晶变为多晶,择优取向从(101)面过渡到(211)面,薄膜电阻先减小后增大,平均透光率逐渐上升。随O_2流量增加,SnO_2:F薄膜结构与透明导电性能的变化规律与SnO_2薄膜类似,SnO_2:F薄膜的择优取向依次为(002)、(101)和(211)面,由于F掺杂,SnO_2:F薄膜的载流子浓度和迁移率明显增加,电阻率降低,同时平均透过率有所提高。目前,在合适的O_2流量下,SnO_2:F薄膜可达到的最低电阻率为4.16×10^(–3) ?·cm,同时其平均透光率为86.5%。
- 杨玉婷祝柏林谢挺张俊峰吴隽甘章华刘静
- 关键词：射频反应磁控溅射氟掺杂
- 反应溅射法制备AZO薄膜的结构和透明导电性能
- 2019年
- 不同于常用的金属或氧化物靶材,本研究以表面粘贴Al片的Zn/Zn O混合物(Al@Zn/Zn O)为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃,溅射气氛为Ar+O2和Ar+H2下反应溅射制备Al掺杂Zn O(AZO)薄膜。通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了Ts以及O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响。结果发现,随O2流量增加,两种Ts下制备的AZO薄膜保持(002)择优取向,薄膜中压应力呈下降的趋势,而薄膜结晶度趋向于先增加后略有下降。薄膜的导电性能随O2流量增加呈逐渐增强的趋势。当O2流量高于一定值时,薄膜可以获得较高的可见光透过率,因此达到较高的品质因子。当Ts从150℃增加到300℃,薄膜的压应力降低,结晶度提高,但导电性未见明显提高。另外,薄膜禁带宽度主要由薄膜中压应力决定。与Ar+O2下制备的AZO薄膜相比,Ar+H2气氛下制备的薄膜基本上为非晶态,其导电性能差,而可见光透过率较高、禁带宽度较大。
- 祝柏林李昆鹏谢挺吴隽
- 关键词：反应溅射AZO薄膜禁带宽度品质因子
- 反应磁控溅射法制备F掺杂ZnO(FZO)薄膜的结构和透明导电性能被引量：1
- 2021年
- 以Zn/ZnO/ZnF_(2)混合物为靶材,在衬底温度(T_(s))为150℃和300℃、溅射气氛为Ar+O_(2)和Ar+H_(2)下反应溅射制备F掺杂ZnO(FZO)薄膜,研究气体流量、T_(s)以及溅射气氛对薄膜结构及透明导电性能的影响。结果表明:对于Ar+O_(2)下制备的FZO薄膜,T_(s)=300℃时有利于制备出具有(002)择优取向、结晶度高、压应力低且透明导电性能较好的薄膜。对于Ar+H_(2)下制备的薄膜,T_(s)增大到300℃虽然提高了薄膜结晶度和透光性,降低了压应力,但薄膜厚度明显降低,薄膜导电性能变差。比较两种气氛下制备的FZO薄膜,发现Ar+H_(2)下制备的薄膜可在150℃和0.8~3.2 mL·min^(-1)的H_(2)流量范围内得到更好的透明导电性能(电阻率为3.5×10^(-3)Ω·cm,可见光平均透光率为87%)。讨论Ar+H_(2)气氛时H等离子的刻蚀作用与H掺杂、Ar+O_(2)气氛时O离子的轰击作用与薄膜氧缺陷的变化、T_(s)升高时沉积原子反应活性与迁移能力增强以及Eg与载流子浓度的关系。
- 祝柏林郑思龙谢挺吴隽
- 关键词：反应溅射禁带宽度
- 反应溅射制备高透明导电ZnO、FZO及AZO薄膜的研究
- ZnO基薄膜作为ITO薄膜最有可能的替代材料之一，得到了广泛关注。不同于常用的金属或氧化物靶材，本论文以Zn/ZnO、Zn/ZnO/ZnF2混合物以及表面粘贴Al片的Zn/ZnO混合物（Al@Zn/ZnO）为靶材，在基底...
- 谢挺
- 关键词：氧化锌薄膜反应溅射离子掺杂
- 反应溅射法制备高透明导电ZnO薄膜的研究被引量：2
- 2016年
- 利用Zn/Zn O复合靶材,通过射频磁控溅射技术,在衬底温度为150℃时分别在Ar+O2和Ar+H2的混合气氛中制备Zn O薄膜,通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响。结果发现,薄膜厚度随O2流量增加而明显增加而随H2流量增加呈下降趋势。只有通入合适流量的O_2或H_2,薄膜才能保持(002)择优取向、较高的结晶度以及较小的压应力,同时在薄膜中形成高浓度VO和/或Hi等缺陷,因此有效降低Zn O薄膜的电阻率,并保持高的透光率,从而改善Zn O薄膜透明导电性能。当前研究中,当O_2和H_2流量分别为0.4 sccm和2.0 sccm时,得到的最低电阻率分别为6.33×10-3和2.51×10-3Ω·cm,平均透光率均大约为81.5%,相应的最高品质因子分别为1.04×10-3和1.29×10-3Ω-1。
- 谢挺祝柏林杨玉婷张俊峰龙晓阳吴隽
- 关键词：反应溅射气体流量ZNO薄膜结晶度
