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利用N型半导体纳米材料抑制单量子点的荧光闪烁特性被引量：5: 2015年; 利用N型半导体纳米材料氧化铟锡(ITO)作为单CdSe/ZnS量子点的基质来抑制单量子点的荧光闪烁特性.实验采用激光扫描共聚焦显微成像系统测量了单量子点荧光的亮、暗态持续时间的概率密度分布的指数截止的幂律特性,并与直接吸附在SiO2玻片上的单CdSe/ZnS量子点的荧光特性进行比较.研究发现处于ITO中的单量子点比SiO_2玻片上的单量子点荧光亮态持续时间提高两个数量级,掺杂于ITO中的单量子点的荧光寿命约减小为SiO_2玻片上的单量子点的荧光寿命的41%,并且寿命分布宽度变小50%.; 王早张国峰李斌陈瑞云秦成兵肖连团贾锁堂; 关键词：半导体纳米材料荧光寿命

在半导体纳米材料ITO中的单量子点荧光特性研究: CdSe/ZnS量子点是一种将激子受限于三维空间的半导体纳米粒子，具有吸收光谱宽、发射光谱窄以及量子产率高等优点，在新型光电器件、荧光成像和量子信息等方面具有广阔的应用前景。CdSe/ZnS单量子点具有较强的荧光闪烁特性...; 王早; 关键词：半导体纳米材料荧光特性

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王早