胡志良
- 作品数：7 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省教育部产学研结合项目广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：理学核科学技术机械工程一般工业技术更多>>
- 基于3.5 MeV射频四极质子加速器硼中子俘获治疗装置的束流整形体设计被引量：8
- 2018年
- 在硼中子俘获治疗(BNCT)装置中,束流整形体(BSA)的作用是将中子源产生的快中子束流慢化至超热中子能区(0.5 eV
- 田永顺胡志良胡志良陈俊阳童剑飞梁天骄
- 关键词：硼中子俘获治疗慢化
- 高能中子诱发半导体器件产生单粒子翻转的模拟计算被引量：2
- 2014年
- 随着半导体及电子工艺技术的迅速发展,器件向着小尺度、低电压、低电荷、高集成度迈进,大气中子对航空及地面的电子系统造成的单粒子效应越来越显著.本文采用PHITS2.24蒙特卡罗程序及其事件发生器功能,借助于核反应模型与截面数据,验算了描述器件发生单粒子翻转能力的MBGR参数,并采用大气高能中子能谱,对SRAM器件的单粒子翻转率进行了计算与分析.这为我们今后模拟大气中子产生的各类单粒子效应提供了基本方法,也为将来开展相应的辐照实验提供了理论基础.
- 于全芝胡志良殷雯梁天骄
- 关键词：高能中子单粒子翻转SRAM单元
- 中国散裂中子源二期靶站关键部件辐照损伤模拟计算
- 2024年
- 中国散裂中子源一期工程于2018年通过国家验收,当前束流功率已经达到140 kW.为进一步提高靶站慢化器输出中子强度,已经提出中国散裂中子源二期500 kW功率升级计划.靶站关键部件长期受到高通量、高能量的粒子辐照,会产生较强的辐照损伤,影响着这些部件的使用寿命.本文首先使用PHITS3.33程序计算了钨、SS316不锈钢、6061铝合金3种材料的质子和中子原子离位截面以及氢、氦的产生截面,并分析了NRT(Norgett-Robinson-Torrens)模型和热平衡前原子复位修正(athermal recombination corrected,ARC)模型对材料离位损伤的影响.在此基础上结合中国散裂中子源二期靶站基线模型计算了靶站关键部件在500 kW的束流功率下运行5000 h产生的原子离位次数(displacement per atom,DPA)以及氢、氦的产额.计算结果表明,钨靶受辐照后产生的NRT-dpa,ARC-dpa,H和He产额最大值分别为8.01 dpa/y(1 y=2500 MW·h),2.39 dpa/y,5110 appm/y(atom parts per million,appm,每百万原子中产生该原子的个数)和884 appm/y.同样也计算了靶容器、慢化器反射体容器和质子束窗的辐照损伤值,根据这些部件的辐照损伤值预估了各自的使用寿命.这些结果对分析中国散裂中子源二期靶站关键部件的辐照损伤情况,构建合理的维护方案有着十分重要的意义.
- 曹嵩殷雯周斌周斌胡志良沈飞王松林王松林
- 关键词：辐照损伤
- 中子单粒子效应数据获取系统设计与实现
- 2023年
- 单粒子效应是一种威胁航天器安全的空间环境效应,为了航天事业的发展,对该效应进行模拟实验尤为重要,中国散裂中子源(CSNS)建设的大气中子辐照谱仪(ANIS)为该实验提供了先进的中子单粒子效应测试与科研平台。基于Qt开发了中子单粒子效应测试系统的数据获取系统软件,应用于ANIS谱仪,通过该软件能够实现对测试系统的配置和监测、数据存储和显示等。通过在实验室和ANIS谱仪的实验结果表明,该数据获取系统软件稳定可靠,可以满足ANIS谱仪单粒子效应测试需求。
- 龚嘉伟魏亚东陈少佳杜晨胡志良胡志良
- 关键词：QT数据获取
- 应用中国散裂中子源9号束线端研究65 nm微控制器大气中子单粒子效应被引量：6
- 2019年
- 采用设置和不设置镉中子吸收体两种方式,利用中国散裂中子源9号束线(CSNS-BL09)对65 nm微控制器进行了大气中子单粒子效应辐照测试.测试中探测到的效应主要为单位翻转.测试结果表明,对于该款微控制器,热中子引起的中子单粒子翻转占比约65%;进一步分析表明,热中子与10B反应产生的0.84 MeV7Li可能是诱发微控制器单粒子翻转的主要因素.
- 胡志良杨卫涛胡志良李洋李永宏王松林贺朝会于全芝王松林谢飞周斌梁天骄
- 关键词：热中子中国散裂中子源
- SRAM白光中子单粒子翻转注量率(10^(7)量级)效应研究
- 2021年
- 中子诱发中子单粒子效应进而影响电子设备或系统的稳定性和可靠性,本文基于中国散裂中子源BL06测试束线,在20 kW、50 kW、70 kW、80 kW和100 kW束流条件下,对800 nm、500 nm、350 nm和130 nm工艺静态随机存储器开展了不同注量率下白光中子单粒子翻转研究.实验发现:在误差允许范围内,中子注量率为1.34×10^(7)~6.68×10^(7 )n/(cm^(2)·s)时,白光中子诱发的中子单粒子翻转平均位翻转截面无明显变化,即当前注量率范围内,中子单粒子翻转基本不考虑注量率效应.
- 李光远唐翌胡志良胡志良
- 关键词：SRAM
- 硼中子俘获治疗(BNCT)真空系统
- 2020年
- 硼中子俘获治疗(BNCT)装置由一台ECR离子源、一条低能传输线(LEBT)、一台3.5MeV射频四极加速器(RFQ)、一条高能传输线(HEBT)和一个靶站组成。本文首先介绍了BNCT真空系统的组成,对比了BNCT与CSNS离子源真空系统的差异,给出了HEBT真空系统设计方案和气载计算方法。利用Molflow软件模拟计算了HEBT真空系统的静态压力分布和打靶时的动态压力分布,并与目前运行的真空状态进行比对。
- 刘顺明欧阳华甫欧阳华甫宋洪胡志良王鹏程宋洪关玉慧黄涛刘盛进王鹏程曹秀霞刘佳明薛康佳关玉慧康明涛BNCT团队
- 关键词：硼中子俘获治疗
