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马志坚

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:香港大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电导
  • 1篇氧化硅
  • 1篇热氮化
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇

机构

  • 1篇华南理工大学
  • 1篇香港大学

作者

  • 1篇黎沛涛
  • 1篇郑耀宗
  • 1篇刘百勇
  • 1篇刘志宏
  • 1篇马志坚

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1991
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
利用电导技术研究快速热氮化二氧化硅与硅界面的性质
1991年
本文介绍了尼科里安-科兹伯格(Nicollian-Goetzberger)电导技术及其基本原理,建立了采用双相锁相放大器的测试系统,利用它测量了常规热氮化和快速热氮化SiO_2薄膜与Si衬底的界面性质,包括界面态密度,空穴俘获截面,表面势起伏,以及界面态时间常数等,并对它们进行了分析和讨论。研究结果表明:氮化会增加界面态的密度和平均时间常数,会增强表面势起伏,但只是轻微地改变空穴俘获截面.特别地,氮化还导致界面态密度在禁带中央以下0.2-0.25eV处出现峰值以及削弱了空穴俘获截面对能带能量的依赖关系.利用一个阵列模型,可以较好地模拟表面势起伏的标准偏差并可由此推断表面势起伏是由长波形式的界面态电荷非均匀性所引起.这个结果和氮化会导致高密度氧化层电荷的事实相一致.而以上所有界面态的性质,都与氮化的时间和温度有关.
刘志宏马志坚黎沛涛郑耀宗刘百勇
关键词:二氧化硅热氮化
共1页<1>
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