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张志荣

作品数：69 被引量：17H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇专利
  • 18篇期刊文章

领域

  • 31篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 24篇晶体管
  • 18篇氮化镓
  • 17篇衬底
  • 16篇场效应
  • 15篇场效应晶体管
  • 12篇势垒
  • 11篇电极
  • 11篇异质结
  • 10篇氮化
  • 10篇势垒层
  • 10篇迁移率
  • 9篇半导体
  • 8篇氮化物
  • 8篇电子迁移率
  • 8篇异质结场效应...
  • 8篇化物
  • 8篇高电子迁移率
  • 8篇高电子迁移率...
  • 7篇欧姆接触
  • 6篇载流子

机构

  • 61篇中国电子科技...
  • 8篇河北半导体研...
  • 7篇专用集成电路...
  • 2篇山东大学
  • 2篇中国航天
  • 1篇东南大学

作者

  • 69篇张志荣
  • 65篇房玉龙
  • 59篇尹甲运
  • 52篇王波
  • 51篇冯志红
  • 44篇芦伟立
  • 37篇李佳
  • 15篇宋旭波
  • 10篇吕元杰
  • 7篇陈宏泰
  • 6篇顾国栋
  • 6篇牛晨亮
  • 5篇蔡树军
  • 5篇郭艳敏
  • 4篇敦少博
  • 4篇谭鑫
  • 4篇郭红雨
  • 2篇邹学锋
  • 2篇李佳
  • 2篇刘庆彬

传媒

  • 8篇半导体技术
  • 4篇红外与毫米波...
  • 3篇物理学报
  • 3篇微纳电子技术

年份

  • 6篇2024
  • 4篇2023
  • 7篇2022
  • 9篇2021
  • 6篇2020
  • 11篇2019
  • 12篇2018
  • 6篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2015
共 69 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片
本申请提供一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片。该方法包括：利用MOCVD技术，将碳化硅衬底放入载气为第一载气、Ga源为第一Ga源、氧源为氧气的反应室，并升温至第一预设温度，进行第一预设时长的外延生长，以在碳化...
芦伟立房玉龙郝文嘉李帅王健高楠张志荣王波陈宏泰
增强型GaN场效应晶体管及其制造方法
本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型GaN场效应晶体管及其制造方法，增强型GaN场效应晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、复合盖帽层以及源电极、漏电极和栅电极，源电极与栅电极之间以及漏...
郭艳敏房玉龙尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠王元刚冯志红
文献传递
AlGaN缓冲层结构对Si基GaN材料性能的影响
2017年
Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长面临的首要问题。采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54 cm)Si(111)衬底上制备了GaN外延材料并研究了不同AlGaN缓冲层结构对Si基GaN外延材料性能的影响,并采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、喇曼光谱以及光学显微镜对制备的GaN材料的性能进行了表征。采用3层AlGaN缓冲层结构制备了表面光亮、无裂纹的GaN外延材料,其(002)晶面半高宽为428 arcsec,表面粗糙度为0.194 nm。结果表明,采用3层AlGaN缓冲层结构可以有效地降低GaN材料的张应力和位错密度,进而遏制表面裂纹的出现,提高晶体质量。
邹学锋王波房玉龙尹甲运郭艳敏张志荣冯志红
关键词：铝镓氮SI衬底
氮化物材料的制备方法及氮化物半导体器件
本发明提供了一种氮化物材料的制备方法及氮化物半导体器件，属于半导体材料制备技术领域，所述方法包括以下步骤：在衬底上低温生长含In的氮化物形核层；高温退火刻蚀，含In的氮化物形核层中In脱附，形成均匀分布的氮化物形核层岛；...
郭艳敏尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠房玉龙冯志红
文献传递
氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层，该方法包括：将衬底放置于反应室中，并将所述反应室的温度升高至预设温度；在所述衬底的上表面生长第一氮化镓层；在所述第一氮化镓层的上表面制备金属镓；...
尹甲运房玉龙王波郭艳敏张志荣李佳芦伟立
文献传递
氮化镓外延片的钝化方法
本发明公开了一种氮化镓外延片的钝化方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓外延层；在所述氮化镓外延层上生长势垒层；在所述势垒层上沉积铝原子；将所述氮化镓外延片暴露在空气中，以使得所述氮化镓外延片在...
王波房玉龙尹甲运张志荣郭艳敏李佳芦伟立冯志红
Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器
本发明公开了Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器和滤波器技术领域，本发明包含衬底，设于衬底上的布拉格反射层、设于布拉格反射层上的导电层、压电层、上金属电极，所述导电层为Ⅲ族氮化物导电层，所述压电层为Ⅲ族氮化物压...
郭艳敏房玉龙冯志红尹甲运宋旭波王波周幸叶张志荣王元刚李佳顾国栋芦伟立高楠
文献传递
碳化硅外延层钝化方法
本发明公开了一种碳化硅外延层钝化方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在反应室通入碳源和硅源，在衬底上生长碳化硅外延层；关闭所述碳源，在所述反应室通入氮源和硅源，在所述碳化硅外延层的上表面生长氮化硅薄膜。本发明生...
李佳芦伟立房玉龙尹甲运王波郭艳敏张志荣冯志红
文献传递
无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法
本发明公开了一种无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括以下步骤：一、在衬底上形成源极、栅极、漏极；二、在带有电极的衬底上生长所需的介质材料；三、在步骤二上生长石墨烯。本发明是先制作石墨烯器件工...
李佳芦伟立房玉龙尹甲运王波张志荣郭艳敏
文献传递
一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法
本发明公开了一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法，包括：在衬底上生长GaN材料，并在生长所述GaN材料时通入铁元素；达到第一预设条件时停止通入所述铁元素，开始通入三甲基铟；达到第二预设条件时结束生长所述GaN材料，并停止通入所...
尹甲运房玉龙王波张志荣郭艳敏李佳芦伟立冯志红
文献传递
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