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张志荣
作品数:
66
被引量:18
H指数:2
供职机构:
中国电子科技集团第十三研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
金属学及工艺
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合作作者
房玉龙
河北半导体研究所
尹甲运
河北半导体研究所
冯志红
河北半导体研究所
王波
中国电子科技集团第十三研究所
芦伟立
河北半导体研究所
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张志荣
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6篇
2017
6篇
2016
2篇
2015
共
66
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一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法
本发明公开了一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法,包括:在衬底上生长GaN材料,并在生长所述GaN材料时通入铁元素;达到第一预设条件时停止通入所述铁元素,开始通入三甲基铟;达到第二预设条件时结束生长所述GaN材料,并停止通入所...
尹甲运
房玉龙
王波
张志荣
郭艳敏
李佳
芦伟立
冯志红
一种基于GaN材料的HEMT外延结构及其生长方法和应用
本发明属于新型半导体技术领域,具体公开一种基于GaN材料的HEMT外延结构及其生长方法。本发明提供的外延结构,包括由下到上依次层叠的基底、InN层、缓冲层、第一帽层、插入层、势垒层和第二帽层;其中,所述缓冲层为In<Su...
张志荣
于斌
高楠
王波
房玉龙
一种金刚石衬底GaN外延方法
本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种金刚石衬底GaN外延方法。本发明通过在金刚石衬底上溅射生长AlN缓冲层,并形成AlN/金刚石模板,将AlN/金刚石模板进行退火处理,在退火后的AlN缓冲层上生长GaN外延层,其中,对...
王波
房玉龙
尹甲运
张志荣
高楠
芦伟立
李佳
陈宏泰
牛晨亮
具有场板的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法
本发明公开了一种具有场板的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法,涉及半导体器件制备领域。晶体管从下至上依次为衬底、成核层、GaN缓冲层、未掺杂的GaN沟道层、组分单调变化的Al<Sub>x</Sub>Ga<S...
房玉龙
冯志红
郭艳敏
尹甲运
宋旭波
王波
周幸叶
张志荣
王元刚
李佳
敦少博
芦伟立
高楠
p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
本发明适用于半导体技术领域,提供了一种p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法。该方法包括:在衬底上生长非掺杂Ⅲ族氮化物外延层;在所述非掺杂Ⅲ族氮化物外延层的上表面生长p型掺杂的Ⅲ族氮化物外延层;在氮氧化物气氛中激活所述p型掺杂的Ⅲ...
郭艳敏
房玉龙
尹甲运
李佳
王波
张志荣
芦伟立
高楠
冯志红
文献传递
同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底
本发明适用于半导体技术领域,提供了一种同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底,所述方法包括:在氮化镓衬底外延生长异质结前,对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理,且刻蚀角度不等于90度,所述刻蚀角度为所述氮化镓的等离子体加...
王元刚
冯志红
吕元杰
张志荣
周幸叶
谭鑫
宋旭波
梁士雄
文献传递
增强型高电子迁移率晶体管的制备方法
本发明适用于半导体技术领域,提供了一种增强型高电子迁移率晶体管的制备方法,该方法包括:在衬底上依次生长缓冲层、沟道层和势垒层;其中,所述缓冲层、所述沟道层和所述势垒层的材料均为III族氮化物,且所述势垒层的材料的极化强度...
房玉龙
郭艳敏
尹甲运
李佳
张志荣
王波
芦伟立
高楠
冯志红
文献传递
GaN基异质结场效应晶体管及制造方法
本发明适用于半导体器件技术领域,尤其涉及一种GaN基异质结场效应晶体管及制造方法。所述晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层及分列于所述势垒层上的源极、栅极和漏极;其中,所述插入层的形成材料包...
郭艳敏
房玉龙
尹甲运
李佳
王波
张志荣
芦伟立
高楠
王元刚
冯志红
文献传递
降低GaN极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻的方法
本发明公开了一种降低GaN极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻的方法,涉及场效应管技术领域。所述方法包括以下步骤:1)外延结构生长,依次在衬底上形成GaN层和势垒层;2)在势垒层的上表面生长SiO<Sub>2</Sub>层;...
房玉龙
尹甲运
冯志红
张志荣
刘波
敦少博
吕元杰
蔡树军
文献传递
一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片
本申请提供一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片。该方法包括:利用MOCVD技术,将碳化硅衬底放入载气为第一载气、Ga源为第一Ga源、氧源为氧气的反应室,并升温至第一预设温度,进行第一预设时长的外延生长,以在碳化...
芦伟立
房玉龙
郝文嘉
李帅
王健
高楠
张志荣
王波
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