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张志荣

作品数：69 被引量：17H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇专利
  • 18篇期刊文章

领域

  • 33篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 24篇晶体管
  • 18篇氮化镓
  • 17篇衬底
  • 16篇场效应
  • 15篇场效应晶体管
  • 12篇势垒
  • 11篇电极
  • 11篇异质结
  • 10篇氮化
  • 10篇势垒层
  • 10篇迁移率
  • 9篇半导体
  • 8篇氮化物
  • 8篇电子迁移率
  • 8篇异质结场效应...
  • 8篇化物
  • 8篇高电子迁移率
  • 8篇高电子迁移率...
  • 7篇欧姆接触
  • 6篇载流子

机构

  • 61篇中国电子科技...
  • 8篇河北半导体研...
  • 7篇专用集成电路...
  • 2篇山东大学
  • 2篇中国航天
  • 1篇东南大学

作者

  • 69篇张志荣
  • 65篇房玉龙
  • 59篇尹甲运
  • 52篇王波
  • 51篇冯志红
  • 44篇芦伟立
  • 37篇李佳
  • 15篇宋旭波
  • 10篇吕元杰
  • 7篇陈宏泰
  • 6篇顾国栋
  • 6篇牛晨亮
  • 5篇蔡树军
  • 5篇郭艳敏
  • 4篇敦少博
  • 4篇谭鑫
  • 4篇郭红雨
  • 2篇邹学锋
  • 2篇李佳
  • 2篇刘庆彬

传媒

  • 8篇半导体技术
  • 4篇红外与毫米波...
  • 3篇物理学报
  • 3篇微纳电子技术

年份

  • 6篇2024
  • 4篇2023
  • 7篇2022
  • 9篇2021
  • 6篇2020
  • 11篇2019
  • 12篇2018
  • 6篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2015
共 69 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法
本发明公开了一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法，包括：在衬底上生长GaN材料，并在生长所述GaN材料时通入铁元素；达到第一预设条件时停止通入所述铁元素，开始通入三甲基铟；达到第二预设条件时结束生长所述GaN材料，并停止通入所...
尹甲运房玉龙王波张志荣郭艳敏李佳芦伟立冯志红
一种基于GaN材料的HEMT外延结构及其生长方法和应用
本发明属于新型半导体技术领域，具体公开一种基于GaN材料的HEMT外延结构及其生长方法。本发明提供的外延结构，包括由下到上依次层叠的基底、InN层、缓冲层、第一帽层、插入层、势垒层和第二帽层；其中，所述缓冲层为In<Su...
张志荣于斌高楠王波房玉龙
一种金刚石衬底GaN外延方法
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种金刚石衬底GaN外延方法。本发明通过在金刚石衬底上溅射生长AlN缓冲层，并形成AlN/金刚石模板，将AlN/金刚石模板进行退火处理，在退火后的AlN缓冲层上生长GaN外延层，其中，对...
王波房玉龙尹甲运张志荣高楠芦伟立李佳陈宏泰牛晨亮
具有场板的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法
本发明公开了一种具有场板的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法，涉及半导体器件制备领域。晶体管从下至上依次为衬底、成核层、GaN缓冲层、未掺杂的GaN沟道层、组分单调变化的Al<Sub>x</Sub>Ga<S...
房玉龙冯志红郭艳敏尹甲运宋旭波王波周幸叶张志荣王元刚李佳敦少博芦伟立高楠
高掺杂低位错p型GaN材料生长研究
2024年
对采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上生长的p型GaN材料进行了研究。p型GaN材料通常采用Mg掺杂来实现,但Mg有效掺杂量的增加会导致材料的空穴浓度提高,表面粗糙度变大、位错密度增加。采用Delta掺杂方式,在Cp_(2)Mg通入量一定的情况下,通过对温度、压力以及Delta掺杂过程中TMGa通入时间的调控实现了对p型GaN材料掺杂浓度与表面粗糙度和位错密度之间的平衡优化。结果显示,生长温度1150℃、生长压力400 mbar(1 mbar=100 Pa)、TMGa通入时间40 s的样品均方根表面粗糙度为0.643 nm,(002)晶面半高宽(FWHM)为176.8 arcsec,空穴迁移率为11.8 cm^(2)/(V·s),空穴浓度为1.02×10^(18)cm^(-3),实现了电学性能与晶体质量的平衡。
高楠房玉龙王波韩颖张志荣尹甲运刘超
关键词：P型GAN
p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法。该方法包括：在衬底上生长非掺杂Ⅲ族氮化物外延层；在所述非掺杂Ⅲ族氮化物外延层的上表面生长p型掺杂的Ⅲ族氮化物外延层；在氮氧化物气氛中激活所述p型掺杂的Ⅲ...
郭艳敏房玉龙尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠冯志红
文献传递
同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底，所述方法包括：在氮化镓衬底外延生长异质结前，对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理，且刻蚀角度不等于90度，所述刻蚀角度为所述氮化镓的等离子体加...
王元刚冯志红吕元杰张志荣周幸叶谭鑫宋旭波梁士雄
文献传递
增强型高电子迁移率晶体管的制备方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种增强型高电子迁移率晶体管的制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层和势垒层；其中，所述缓冲层、所述沟道层和所述势垒层的材料均为III族氮化物，且所述势垒层的材料的极化强度...
房玉龙郭艳敏尹甲运李佳张志荣王波芦伟立高楠冯志红
文献传递
GaN基异质结场效应晶体管及制造方法
本发明适用于半导体器件技术领域，尤其涉及一种GaN基异质结场效应晶体管及制造方法。所述晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层及分列于所述势垒层上的源极、栅极和漏极；其中，所述插入层的形成材料包...
郭艳敏房玉龙尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠王元刚冯志红
文献传递
降低GaN极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻的方法
本发明公开了一种降低GaN极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻的方法，涉及场效应管技术领域。所述方法包括以下步骤：1）外延结构生长，依次在衬底上形成GaN层和势垒层；2）在势垒层的上表面生长SiO<Sub>2</Sub>层；...
房玉龙尹甲运冯志红张志荣刘波敦少博吕元杰蔡树军
文献传递
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