徐士杰
- 作品数：21 被引量：34H指数：3
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自然科学总论更多>>
- 非对称耦合双阱中载流子共振隧穿和LO声子辅助隧穿的光学证据
- 1993年
- 用稳态光致发光研究了偏压下的GaAs/Ga_(0.65)Al_(0.35)As/GaAs非对称耦合双阱(ADQW)结构中电子的隧穿现象。清楚地观察到电子从窄阱到宽阱的共振隧穿和LO声子辅助隧穿效应,而且证明来自于GaAlAs势垒层中的类AlAs模式声子在LO声子辅助隧穿过程中占据主导地位。
- 徐士杰江德生李国华张耀辉罗晋生
- 关键词：半导体材料载流子
- 化学生成的Si/SiO_2系统在超高真空中的退火研究
- 1989年
- 用AES详细观测了化学生成Si/S_1O_2系统在超高真空(UHV)中的退火变化.并对收录的俄歇直接谱进行了快速傅里叶变换(FET)退自卷积处理,得到了Si态密度退火前后的变化情况.最后,对退火效应进行了分析和讨论.
- 徐士杰龚彬王荣新
- 关键词：退火
- 全文增补中
- 量子阱红外探测器
- 1992年
- 评述了半导体量子阱内子带间光跃迁的主要特性以及量子阱红外探测器的物理问题和器件结构特点,介绍了国外在此领域研究的最新进展,讨论了有关子带间跃迁和量子阱红外探测器研究的若干发展趋势.
- 徐士杰江德生
- 关键词：红外探测器砷化镓
- 在纵向电场作用下量子阱中空间直接／间接激子的转化
- 1995年
- 本文采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵向电场作用下量子阱中空间直接／间接激子的转化．在７７Ｋ低温下，我们从稳态光荧光谱（ＰＬ谱）上直接观察到了这种转化所导致的光谱激子峰的蓝移．
- 罗克俭郑厚植李承芳徐士杰张鹏华张伟杨小平
- 关键词：激子电场纵向电场半导体
- 电子波在量子阱势垒上方的局域和束缚──一种法布里－珀罗电子滤波器被引量：4
- 1995年
- 最近，电子态在量子阱势垒上方的局域和束缚已为实验证实。这是电子的波动性和干涉效应的一种直接实验验证。试图介绍这种所谓“正能量”束缚态的形成机制，以引起我国学者注意。
- 徐士杰刘剑郑厚植
- 关键词：局域化束缚态势垒电子波
- 纳米硅薄膜中的量子点特征被引量：16
- 1996年
- 从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6 nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减而增大的小尺寸效应。使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其Ⅰ-Ⅴ及(?)-Ⅴ曲线上呈现出Coulomb台阶。对实验结果做了初步分析讨论。
- 何宇亮余明斌吕燕伍戎霭伦刘剑徐士杰罗克俭奚中和
- 关键词：纳米硅量子点半导体
- 电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱
- 2006年
- 对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.
- 钟志亲龚敏王鸥余洲杨治美徐士杰陈旭东凌志聪冯汉源BelingCD
- 关键词：6H-SIC辐照
- 非对称耦合双阱P—I—N结构的光伏谱研究
- 1993年
- 首次报道了GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As/GaAs(50(?)/40(?)/100(?))非对称耦合双阱P-I-N结构的室温光伏谱,清楚地观察到双阱的轻、重空穴激子峰,这些激子峰的能量位置与光荧光和光电流谱得到的数据吻合得很好,而且光伏谱谱形非常类似于光电流谱,呈现清晰的台阶状结构。此外,还观察到轻、重空穴激子跃迁对激发光偏振态的依赖,并讨论了产生光伏谱的机制。
- 徐士杰江德生张耀辉罗昌平罗晋生
- 量子霍耳效应的发现及其意义
- 1990年
- 徐士杰罗晋生
- 关键词：量子霍尔效应
- 非对称耦合双阱中电子能级共振耦合的荧光特征
- 1993年
- 半导体量子阱间的能级共振耦合及载流子共振隧穿是人们非常感兴趣的基本量子物理问题,而且它们有着重要的量子电子器件应用价值。由两个相互之间有耦合作用的量子阱组成的双阱结构是一个最简单的耦合量子阱系统。两个阱可以是相同的,也可以是不同的。由两个相同量子阱构成的对称耦合双阱系统,在通常情况下其能态是扩展的,形成一个对称态和一个反对称态;而由两个不同量子阱构成的非对称耦合双阱系统。
- 徐士杰罗晋生江德生李国华张耀辉
- 关键词：半导体电子能级
