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孙钱

作品数：82 被引量：5H指数：2
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 73篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 28篇半导体
  • 26篇氮化物
  • 21篇发光
  • 18篇二极管
  • 18篇发光二极管
  • 17篇III族
  • 14篇III族氮化...
  • 13篇导体
  • 12篇势垒
  • 11篇势垒层
  • 11篇刻蚀
  • 10篇激光
  • 10篇辐射发光
  • 10篇超辐射
  • 10篇超辐射发光二...
  • 9篇氮化物半导体
  • 9篇光效
  • 9篇光效率
  • 8篇激光器
  • 6篇氮化镓

机构

  • 82篇中国科学院
  • 4篇中国科学院苏...
  • 1篇北京大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇南昌大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇晶能光电(江...
  • 1篇昆山杜克大学

作者

  • 82篇孙钱
  • 54篇杨辉
  • 37篇周宇
  • 37篇冯美鑫
  • 36篇高宏伟
  • 10篇张书明
  • 8篇刘建平
  • 8篇李水明
  • 6篇张立群
  • 6篇李德尧
  • 6篇戴淑君
  • 4篇孙逸
  • 4篇严威
  • 3篇池田昌夫
  • 2篇孙建东
  • 2篇秦华
  • 2篇陈沁
  • 2篇文龙
  • 1篇张进成
  • 1篇王怀兵

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇高科技与产业...
  • 1篇第13届全国...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 5篇2024
  • 17篇2023
  • 13篇2022
  • 8篇2021
  • 4篇2020
  • 12篇2019
  • 3篇2018
  • 11篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2012
共 82 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘
本实用新型公布了一种提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘，包括样品托盘本体，所述样品托盘本体上端面的选定区域内分布有两个以上第一片槽，而所述样品托盘本体上端面上除所述选定区域之外的其余区域内还分布有至少一第二片槽，所述...
孙钱严威冯美鑫杨辉
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一种紫外封装器件
本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外封装器件。紫外封装器件包括基板、内壳、外壳、镜片。内壳围设于基板，内壳的内表面贴合于基板的上表面，内壳于基板的上表面形成安装凹槽，外壳围设于基板与内壳外部，并贴合于内壳的上表...
李文博孙钱杨勇张智聪汤乐明李光辉王宏伟
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一种提升含Al氮化物半导体材料的晶体质量的方法
本发明公开了一种提升含Al氮化物半导体材料的晶体质量的方法。所述方法包括：在衬底上沉积形成作为成核层的含Al氮化物半导体材料底层；在所述含Al氮化物半导体材料底层上生成形成AlON层，之后继续生长含Al氮化物半导体材料层...
孙秀建黄应南孙钱刘建勋詹晓宁高宏伟杨辉
一种深紫外LED封装方法
本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻...
李文博孙钱张智聪杨勇汤文君
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一种用于制备GaN基电子器件的方法
本发明公开了一种用于制备GaN基电子器件的方法，包括：对高阻衬底表面进行掺杂处理，使所述高阻衬底表面的空位、间隙位、替代位中的任一者或多者为掺杂离子和/或掺杂原子所占据，从而能够阻止外部的Al原子和/或Ga原子向所述高阻...
孙钱周宇刘建勋孙秀建詹晓宁高宏伟钟耀宗
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GaN基半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制作方法。所述GaN基半导体器件包括硅衬底、以及形成于所述硅衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述硅衬底上的AlN成核层，AlGaN缓冲层以及GaN缓冲层。本发明采用介质膜做为...
严威孙逸冯美鑫周宇孙钱杨辉
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基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。所述HEMT包含主要由第一半、第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源、栅和漏电极，该栅电极与势垒层之间还分布有能与第二半导体层形成异质结的第...
孙钱周宇李水明陈小雪戴淑君高宏伟冯美鑫杨辉
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高取光效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种高取光效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制备方法。所述二极管结构包括外延结构，所述外延结构包括p型层、n型层和有源区，所述有源区分布于所述p型层和n型层之间；其中，所述p型层上还设置有n型布拉格反射镜...
冯美鑫孙钱刘建勋黄应南孙秀建杨辉
InAlGaN系列合金材料的制备方法
本发明提供了一种InAlGaN系列合金材料的制备方法，包括如下步骤：在H<Sub>2</Sub>载气下控制温度为1000～1100℃，在衬底上生长第一非掺杂层；在载气下控制温度为1000～1100℃，在所述第一非掺杂层上...
张峰池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群孙钱杨辉
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III族氮化物紫外发光二极管及其制作方法
本发明公开了一种III族氮化物紫外发光二极管及其制作方法。所述的制作方法包括：在衬底上依次生长成核层、Al<Sub>x2</Sub>Ga<Sub>1‑x2</Sub>N层或AlN厚层以及氮化物紫外发光二极管结构，获得外延...
孙钱冯美鑫高宏伟周宇杨辉
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