以YSZ为基片对以乳酸为溶剂的Gd Bi O3(GBO)缓冲层的化学溶液法(CSD)快速制备工艺进行了研究,着重研究了工艺温度对挥发和外延过程的影响。研究结果表明,涂覆薄膜中的乳酸可以在115℃-30min内几乎完全挥发,低于100℃时难以完全挥发出无水的硝酸盐混合膜。Ar气中GBO的最佳外延温度为800℃时间为1h。GBO缓冲层CSD法制备总工艺时间约为1.5小时。在此YSZ/GBO缓冲层上CSD法制备的YBa2C3Oz膜的转变温度可达90K。
采用无氟高分子辅助金属有机物沉积法(PA-MOD)在La Al O3(LAO)单晶衬底上制备了一系列YBa2Cu3-xNixO7-z(x=0、0.0005、0.001、0.0015、0.002)超导薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及综合物性测量系统(PPMS)分别研究了微量Ni2+掺杂YBCO薄膜的晶体结构、表面形貌及超导性能。结果表明,微量Ni2+掺杂明显提高YBCO薄膜在外加磁场下的临界电流密度,说明微量Ni2+掺杂增强了YBCO薄膜的磁通钉扎性能。
