郭丽伟
- 作品数：97 被引量：75H指数：5
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法
- 一种光伏装置，包括光源和光伏器件，所述光伏器件包括低阻光增益半导体衬底、位于所述低阻光增益半导体衬底上的绝缘层、所述绝缘层的暴露出所述低阻光增益半导体衬底的一部分的开口、石墨烯层、第一电极和第二电极，其中，所述石墨烯层的...
- 郭丽伟杨军伟陈小龙
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- 偏压原子力显微技术:通过局部反型掺杂检测缺陷的通用方法
- 高质量二维材料在基础科学研究和器件应用领域中具有重要的地位[1]。因此针对二维材料的检测，特别是对其缺陷的检测成为了至关重要的内容。一个精准、快捷的缺陷检测手段可以在二维材料的制备过程中提供及时有效的反馈。
- 贾玉萍郭丽伟芦伟黄郊李治林陈洪祥陈小龙
- 关键词：石墨烯
- 低极化效应的氮化镓基发光二极管芯片用外延材料及制法
- 一种低极化效应GaN发光二极管外延用材料及制法：在蓝宝石或SiC衬底上用半导体器件沉积技术依次生长由GaN缓冲层和n型GaN层组成的n型InGaAlN层、由InAlGaN多量子阱结构极化调控层和InAlGaN多量子结构发...
- 陈弘贾海强郭丽伟王文新周均铭
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- 一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法
- 本发明提供了一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点结构，包括依次在基底上分子束外延的砷化镓过渡层、砷化铟自组装量子点层、第一砷化镓覆盖层、锑化镓覆盖层、第二砷化镓覆盖层。该材料结构所获得量子点的室温光致发光达到1....
- 蒋中伟王文新陈弘周均铭郭丽伟贾海强李卫高汉超
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- MOCVD方法生长的InN及InGaN薄膜的特性研究
- 利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InN和InGaN薄膜。室温InN样品的荧光峰在0.7eV左右,证实了InN具有小的带隙。通过插入GaN缓冲层,InN薄膜(0002)摇摆曲线半高宽从1.09°降到0.36°,载流子...
- 朱学亮郭丽伟彭铭曾张洁丁国建贾海强陈弘周均铭
- 关键词：半导体薄膜INGANMOCVD
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- 一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法
- 本发明涉及一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法，包括：采用常规技术在C面蓝宝石上蒸镀二氧化硅掩膜层；利用光刻技术沿[1100]或[1120]方向光刻条形二氧化硅掩膜图形；用硫酸、或硫酸与磷酸的混合液作为腐蚀液湿法腐蚀该衬底；...
- 陈弘王晶贾海强郭丽伟周均铭李卫汪洋邢志刚
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- 一种碳化硅的欧姆电极结构及其制备方法
- 本发明公开了一种碳化硅欧姆电极结构及其制备方法。该碳化硅的欧姆电极结构包括碳化硅基底和金属层，以及位于所述碳化硅基底和金属层之间的石墨烯层。本发明的碳化硅欧姆电极结构的接触电阻低且稳定性好。
- 陈小龙郭丽伟刘春俊
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- 宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展被引量：14
- 2012年
- 本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。
- 彭同华刘春俊王波王锡铭郭钰赵宁李龙远刘宇黄青松贾玉萍王刚郭丽伟陈小龙
- 关键词：SIC晶体单晶生长晶片加工磁性
- (113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光被引量：4
- 1999年
- 用透射电子显微镜观察了 Ｓｉ（１１３） 衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌，测量了其原生及退火后低温下的光荧光谱．对所得结果进行了分析．
- 司俊杰杨沁清滕达王红杰余金中王启明郭丽伟周均铭
- 关键词：硅衬底自组织生长荧光谱
- 在特定的蓝宝石图形衬底上制备高质量GaN基材料的方法
- 本发明公开了一种在特定的蓝宝石图形衬底上制备高质量GaN基材料的方法，该方法通过采用湿法腐蚀技术获得特定图形结构的蓝宝石衬底，然后在其上采用搭桥外延生长技术沉积GaN搭桥外延层，并沉积所需的器件结构层。本发明克服现有的E...
- 郭丽伟贾海强王晶邢志刚汪洋陈弘周均铭
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