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电沉积n—CdTe薄膜的研究被引量：1: 1994年; 用电沉积法制备ｎ—ＣｄＴｅ薄膜，可降低半导体材料的消耗和生产费用，对降低太阳电池成本具有很大吸引力。本文通过不同衬底和不同阴极电位电沉积制备ＣｄＴｅ薄膜，进行不同温度下的热处理。对多晶ＣｄＴｅ薄膜做了ＸＲＤ分析，并在由ＣｄＴｅ薄膜作光电极，碳棒为对电极，多硫氧化还原体系Ｎａ２Ｓ＋ＮａＯＨ＋Ｓ溶液作为电解液的光电学电池中做光电Ｉ——Ｖ特性测量，发现以Ｎｉ作衬底及阴极沉积电位－０．６７—－０．７０Ｖ（对照ＳＣＥ）下沉积出的ＣｄＴｅ薄膜光电性能较好，如对薄膜进一步在马福炉中２５０°下供烤１５—４５分钟，其光电转换效率将得到进一步提高。; 王一兵郭清松; 关键词：电沉积多晶薄膜光电转换硒化镉

FeCo<,2>型异核金属羰基簇膦、胂取代衍生物的合成、表征和晶体结构: 本文通过母体簇与单膦配体和双膦配体在较温和条件下反应,合成了五个新的FeCO<,2>型异核金属羰基取代衍生物,利用元素分析,红外光谱核磁共振谱和质谱对五个簇合物进行了表征.; 王一兵张浩索全伶翁林红冷雪冰; 关键词：衍生物晶体结构; 文献传递

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王一兵