刘森
- 作品数：10 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电气工程理学交通运输工程更多>>
- 导电桥半导体器件及其制备方法
- 本发明提供了一种导电桥半导体器件及其制备方法。该导电桥半导体器件自下而上包括：下电极、阻变功能层、离子阻挡层和活性上电极，其中，离子阻挡层上开设有供活性导电离子通过的孔洞。基于此结构可以制备导电桥阻变存储器以及导电桥选择...
- 刘琦赵晓龙刘森刘明吕杭炳龙世兵王艳伍法才
- 文献传递
- 阻变存储器发展现状被引量：4
- 2016年
- 在纳米电子器件时代,来自量子隧穿和电容耦合等问题的挑战,使得Flash半导体存储器的发展遇到瓶颈。阻变存储器是忆阻器在二值情况下的特殊应用,因其结构简单、高密度、高速、低功耗、与CMOS工艺兼容以及具备三维集成能力,成为最具发展潜力的下一代非易失存储技术之一。在国内外学者的共同努力下,阻变存储器的研究已经取得了诸多突破性的进展。本文主要综述阻变存储器的发展历程、材料体系和阻变机理,并总结展望了阻变存储器进一步发展的优势和面临的挑战。
- 刘森刘琦
- 阳离子基阻变存储器的界面调控与性能优化
- 随着云计算、物联网和大数据等信息技术的快速发展,人们需要存储和处理的数据呈爆炸式的增长,主流的存储技术越来越难以满足市场的需求。基于阳离子电化学效应的阻变存储器(RRAM),通常由易氧化金属电极(Cu、Ag 等),固态电...
- 刘琦刘森赵晓龙龙世兵吕杭炳刘明
- 导电桥半导体器件及其制备方法
- 本发明提供了一种导电桥半导体器件及其制备方法。该导电桥半导体器件自下而上包括：下电极、阻变功能层、离子阻挡层和活性上电极，其中，离子阻挡层上开设有供活性导电离子通过的孔洞。基于此结构可以制备导电桥阻变存储器以及导电桥选择...
- 刘琦赵晓龙刘森刘明吕杭炳龙世兵王艳伍法才
- 基于阻变器件交叉阵列结构实现逻辑计算的方法
- 本公开提供一种基于阻变器件交叉阵列结构，提供了一种逻辑计算与数据存储一体化的新型操作方法，该方法的计算和存储功能基于相同的硬件架构，且在计算的同时完成数据的存储，实现了计算存储融合。所述方法包括通过控制器向指定字线或位线...
- 刘琦王伟刘森张峰吕杭炳龙世兵刘明
- 文献传递
- 一种双极型阻变存储器及其制备方法
- 本发明提供了一种双极型阻变存储器及其制备方法，该双极型阻变存储器包括衬底；复合于所述衬底上表面的下电极；复合于所述下电极上的整流功能层；复合于所述整流功能层上的石墨烯层；复合于所述石墨烯层上的阻变介质层；复合于所述阻变介...
- 刘琦赵晓龙刘明刘森龙世兵吕杭炳卢年端王艳张康玮
- 基于阻变器件交叉阵列结构实现逻辑计算的方法
- 本公开提供一种基于阻变器件交叉阵列结构，提供了一种逻辑计算与数据存储一体化的新型操作方法，该方法的计算和存储功能基于相同的硬件架构，且在计算的同时完成数据的存储，实现了计算存储融合。所述方法包括通过控制器向指定字线或位线...
- 刘琦王伟刘森张峰吕杭炳龙世兵刘明
- 文献传递
- 一种双极型阻变存储器及其制备方法
- 本发明提供了一种双极型阻变存储器及其制备方法，该双极型阻变存储器包括衬底；复合于所述衬底上表面的下电极；复合于所述下电极上的整流功能层；复合于所述整流功能层上的石墨烯层；复合于所述石墨烯层上的阻变介质层；复合于所述阻变介...
- 刘琦赵晓龙刘明刘森龙世兵吕杭炳卢年端王艳张康玮
- 文献传递
- 阳离子基阻变存储器的研究进展被引量：1
- 2017年
- 基于电荷存储的传统非易失存储技术越来越难以满足大数据时代对海量信息的存储需求,亟需发展基于新材料、新原理的非易失存储技术。基于阳离子电化学效应的阻变存储器具有结构简单、速度快、功耗低、可缩小性好、易于三维集成等优点,被认为是下一代非易失存储器的有力竞争者。然而,器件参数离散性大以及阻变机制不清晰严重阻碍了该类器件的快速发展。近几年,国内外学者通过材料和结构的优化设计显著提高了器件的性能,借助先进的表征技术阐明了器件电阻转变的微观机制,为阳离子基阻变存储器的大规模生产和应用奠定了科学基础。从材料改性、器件结构设计和微观机制表征三个方面综述了阳离子基阻变存储器的研究进展,并对其未来的研究方向和发展趋势进行了展望。
- 刘琦刘森龙世兵吕杭炳刘明
- 关键词：非易失存储器
- 石墨烯插层对阳离子基阻变存储器的性能调控
- 阳离子基阻变存储器具有结构简单、速度快、功耗低、可三维集成等优势,有望在高密度存储、非易失逻辑和神经网络计算等领域得到应用。该器件由活性金属(Ag、Cu等)-介质-惰性金属(Pt、W等)构成,其电阻转变来源于阳离子电化学...
- 刘琦赵晓龙刘森刘明
