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袁广才

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：华南理工大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 5篇晶体管
  • 5篇薄膜晶体
  • 5篇薄膜晶体管
  • 4篇显示装置
  • 3篇载流子
  • 3篇迁移率
  • 2篇有源层
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇平板显示
  • 2篇结构类型
  • 1篇氧化物
  • 1篇栅极
  • 1篇栅绝缘层
  • 1篇溶液法
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇能级
  • 1篇迁移
  • 1篇显示面板
  • 1篇面板
  • 1篇金属

机构

  • 5篇华南理工大学
  • 5篇京东方科技集...

作者

  • 5篇闫梁臣
  • 5篇袁广才

年份

  • 1篇2018
  • 4篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
薄膜晶体管及其制造方法
一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管制造方法包括：采用直流溅射法在基板上沉积金属薄膜层的步骤；将所述金属薄膜层中的金属完全氧化或者部分氧化形成金属氧化物薄膜层的步骤。薄膜晶体管具有紧密结合的栅极层和栅极绝缘层。本发明的...
闫梁臣袁广才徐晓光王磊彭俊彪兰林锋
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薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法以及显示装置
本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法，以提高薄膜晶体管半导体层的抗酸性，并降低薄膜晶体管的制备成本。薄膜晶体管包括半导体层，所述半导体层包括掺入锡的氧化锆。在本发明的技术方案中，退火处理后的...
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薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示面板、显示装置
本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，可采用溶液法制备高迁移率的金属氧化物薄膜晶体管。该薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底上制备形成栅极、栅绝缘层、有源层、源...
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有源层、薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制备方法
本发明公开了一种有源层、薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制备方法，属于平板显示领域。该有源层的材料为氧化锆铟，氧化锆铟的化学式为Zr<Sub>x</Sub>In<Sub>100-x</Sub>O<Sub>y</Sub>，...
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有源层、薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制备方法
本发明公开了一种有源层、薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制备方法，属于平板显示领域。该有源层的材料为氧化锆铟，氧化锆铟的化学式为Zr<Sub>x</Sub>In<Sub>100‑x</Sub>O<Sub>y</Sub>，...
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