陈端阳
- 作品数：36 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：理学电子电信医药卫生一般工业技术更多>>
- KDP类晶体的生长装置
- 一种KDP类晶体的生长装置，包括供晶体放置的晶体托盘、搅拌桨、搅拌桨连杆、旋转轴、驱动电机、晶体生长槽本体和生长槽上盖，其特点在于，还包括至少两根侧杆，所述的晶体托盘通过所述的侧杆与生长槽上盖相连，所述的搅拌桨通过所述的...
- 齐红基陈端阳邵建达谢晓义胡开伟郑丽丽张辉
- KDP类晶体快速生长技术研究被引量：1
- 2020年
- 概述了本课题组在KDP类晶体快速生长领域的研究及进展情况。通过集成生长设备的管道系统、升级连续过滤系统、研发晶体生长过程的实时监控系统以及高精度退火设备,实现晶体生长系统的集成化;通过数值模拟优化晶体表面流场状态、全流程量化控制实现晶体稳定生长以及精密热退火进一步提升晶体性能;针对点籽晶快速生长KDP类晶体中存在的柱锥交界面问题,相继提出了长籽晶锥区限制生长法和长籽晶自由生长法,为大尺寸高性能KDP类晶体生长提供新的技术方案。
- 齐红基邵建达吴福林王斌陈端阳
- 关键词：集成化
- 一种长籽晶KDP类晶体的偏置式快速生长方法
- 一种长籽晶KDP类晶体的偏置式快速生长方法，将长籽晶置于远离载晶架底部托盘上表面中心的位置，使长籽晶在生长过程中绕载晶架旋转轴在生长槽中周期性正反交替旋转，所述的长籽晶的中心纵轴与所述的载晶架的旋转轴不重合。由于长籽晶放...
- 陈端阳齐红基邵建达王斌
- 用于KDP类晶体生长的载晶架
- 一种用于KDP类晶体生长的载晶架，包括载晶板、两个侧杆、上横杆、两个搅拌桨以及旋转轴，所述的两个侧杆上端与上横杆的连接处通过圆角平滑连接，所述的上横杆的旋转轴两边对称的位置各安装一个梯形体搅拌桨，该搅拌桨的棱边均为圆角，...
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- KDP类晶体锥面快速生长方法
- KDP类晶体锥面快速生长方法，所述的生长溶液中的片状籽晶柱区受到左方筒和右方筒侧壁的限制，因而柱区的生长受到抑制，只有左右两个方向的锥区能够生长。由于用这种方法生长的KDP类晶体的都是锥区，晶体内部不含柱锥交界面，并且在...
- 齐红基陈端阳邵建达王斌
- 衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga_(2)O_(3)薄膜性质的影响研究
- 2025年
- 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在Fe掺杂的(001)、(010)和(201)晶面的氧化镓(Ga_(2)O_(3))衬底上实现了Si掺杂n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜的同质外延生长,系统研究了衬底晶面对生长的薄膜晶体质量、生长速度及电学性能的影响。研究结果表明,同质外延生长的n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜样品均表现出与衬底一致的晶面取向,且双晶摇摆曲线半峰全宽(FWHM)均很小,具有较高的晶体质量;各薄膜的表面粗糙度较低,基本呈现台阶流的生长特征;不同晶面衬底上薄膜同质生长速度存在较大差异,其中(001)晶面衬底上薄膜的生长速度较快,可达1μm/h以上。在(010)晶面衬底上生长的n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜,其载流子浓度与迁移率最高,在器件的制备中更具潜力。该项研究将为Ga_(2)O_(3)基器件制备提供有力的数据支撑。
- 韩宇焦腾于含赛青林陈端阳李震李轶涵张钊董鑫
- 关键词：氧化镓金属有机化学气相沉积迁移率生长速率
- KDP类晶体生长的载晶架
- 一种KDP类晶体生长的载晶架，包括上横条、下横板、两个侧柱、两个搅拌桨以及连接杆，两个侧柱和两个搅拌桨在同一竖直平面上，连接杆位于上横条的正中间，两个搅拌桨关于连接杆对称。本发明与现有的载晶架相比，提高了溶液的流动性，使...
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- KDP类晶体长籽晶限制生长方法
- 一种KDP类晶体长籽晶限制生长方法，本发明方法的长籽晶上端和下端分别受到上挡板和下托盘的限制，因而锥面的生长受到抑制，只有[100]和[010]两个方向的四个柱面能够生长。最终长成的晶体不含严重制约元件质量的柱锥交界面，...
- 齐红基陈端阳邵建达谢晓义
- 氧化镓肖特基二极管硼离子注入终端技术研究
- 2025年
- β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大和击穿场强高等优异的物理特性,被认为是制作新一代大功率、高效率电力电子器件的理想半导体材料。然而,无终端的Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)容易在肖特基电极边缘产生高峰值电场,导致器件过早击穿,影响其耐压特性。因此,本文提出通过对器件肖特基金属边缘进行硼(B)离子选区注入来构建埋层高阻终端,从而调控电极边缘的电场分布,以达到提升击穿电压的效果。B离子注入的能量和剂量分别为60 keV和7×1014 cm^(-2),通过仿真估算注入深度约为200 nm。采用B离子注入终端后,Ga_(2)O_(3)SBD器件的导通特性未发生明显变化,比导通电阻仍为2.5 mΩ·cm^(2)左右,而击穿电压则从429 V大幅度提升至1402 V,增幅达226%,对应的功率优值从74 MW/cm^(2)提升至767 MW/cm^(2)。通过仿真研究了器件电场分布,发现采用B注入终端后,肖特金属电极边缘的电场峰值得到显著抑制,且随着注入深度的增大而逐步下降。本工作为高性能Ga_(2)O_(3)功率器件终端结构的设计提供了新的研究思路。
- 沈睿郁鑫鑫李忠辉陈端阳陈端阳谯兵赛青林董鑫齐红基陈堂胜
- 关键词：肖特基二极管击穿电压
- 二维平动长籽晶KDP类晶体循环过滤生长技术研究
- 2024年
- 瞄准KDP类晶体12 J/cm^(2)激光损伤阈值,从改善晶体生长表面的溶质分布情况着手,围绕新型KDP类晶体生长方法——二维平动技术全过程进行了初步研究。从生长设备、点晶方式、生长工艺等方面,研究了不同平移速度、平移加速度等生长参数下的晶体生长工艺。针对长籽晶点晶过程及成锥过程中易诱发杂晶产生的问题,提出了螺旋式点晶方式,将籽晶通过螺纹稳定地固定在晶盘上,使籽晶平移运动时产生的晃动幅度减小,从而减小对生长溶液的扰动。针对KDP类晶体生长对装置的要求,笔者设计并搭建了一套满足晶体二维平动生长要求的实验装置。通过紫外-可见吸收光谱、抗激光损伤阈值、荧光光谱等对晶体的性能进行分析,结果表明,在该二维平动生长方式下生长的晶体具有良好的光学质量以及较高的激光损伤阈值。
- 陶光辉王斌齐红基邵建达吴福林陈端阳陈征民
