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蒲红斌

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：西安工程大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇异质结
  • 4篇石墨
  • 4篇碳化硅
  • 2篇电极
  • 2篇电器件
  • 2篇引出电极
  • 2篇柔性石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇碳化硅材料
  • 2篇碳化硅基
  • 2篇通信
  • 2篇气保护
  • 2篇紫外光源
  • 2篇氩气
  • 2篇氩气保护
  • 2篇烯基
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇晶体
  • 2篇可移植

机构

  • 6篇西安工程大学

作者

  • 6篇李连碧
  • 6篇臧源
  • 6篇宋立勋
  • 6篇蒲红斌
  • 6篇封先锋
  • 5篇涂喆研
  • 4篇褚庆
  • 3篇冯松
  • 2篇张国青
  • 1篇雷倩倩

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法
本发明公开一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0....
李连碧臧源宋立勋蒲红斌封先锋涂喆研韩雨凌褚庆
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一种碳化硅/晶体-锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法
本发明公开一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0....
李连碧臧源胡继超林生晃贺小敏韩雨凌褚庆蒲红斌封先锋冯松宋立勋雷倩倩
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柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法
本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO<Sub>2</Sub>/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si...
李连碧臧源陈鸿胡继超林生晃张国青蒲红斌封先锋宋立勋涂喆研李泽斌徐永康王蓉
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一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管及其制备方法
本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄...
李连碧臧源冯松蒲红斌封先锋宋立勋涂喆研韩雨凌褚庆
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柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法
本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO<Sub>2</Sub>/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si...
李连碧臧源陈鸿胡继超林生晃张国青蒲红斌封先锋宋立勋涂喆研李泽斌徐永康王蓉
一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管及其制备方法
本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄...
李连碧臧源冯松蒲红斌封先锋宋立勋涂喆研韩雨凌褚庆
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