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刘承芳

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电气工程电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇导通
  • 4篇淀积
  • 4篇减薄
  • 4篇IGBT
  • 3篇元胞
  • 3篇栅极
  • 3篇栅介质
  • 3篇键合
  • 3篇功率器件
  • 3篇FS
  • 2篇导通电阻
  • 2篇导通压降
  • 2篇低导通电阻
  • 2篇低电阻率
  • 2篇电荷耦合
  • 2篇电极
  • 2篇电流
  • 2篇电容
  • 2篇电势
  • 2篇电势差

机构

  • 15篇电子科技大学

作者

  • 15篇刘承芳
  • 14篇陈万军
  • 14篇刘杰
  • 14篇刘亚伟
  • 10篇张波
  • 2篇夏云
  • 2篇陶虹

年份

  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 7篇2017
  • 1篇2016
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管。本发明中的一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管结构，通过元胞内部引入额外的多晶硅栅极结构，进而增大器件的输入电容。本发明的有益效果为，不显著...
陈万军陶宏刘亚伟刘承芳刘杰
一种横向IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向IGBT。本发明提出一种新的横向IGBT结构，通过抑制P阱区对漂移区非平衡空穴的抽取作用，增大发射极的电子注入效率，增强P阱区与漂移区所形成PN结附近的电导调制效应，进而减小...
陈万军陶宏刘亚伟刘承芳刘杰张波
一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管。本发明中的一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管结构，通过元胞内部引入额外的多晶硅栅极结构，进而增大器件的输入电容。本发明的有益效果为，不显著...
陈万军陶宏刘亚伟刘承芳刘杰
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一种横向IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向IGBT。本发明提出一种新的横向IGBT结构，通过抑制P阱区对漂移区非平衡空穴的抽取作用，增大发射极的电子注入效率，增强P阱区与漂移区所形成PN结附近的电导调制效应，进而减小...
陈万军陶宏刘亚伟刘承芳刘杰张波
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一种逆导FS‑IGBT的制备方法
本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导FS‑IGBT的制备方法。本发明的方法包括：在一块N型半导体硅片上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层(FS层)；所形成的FS层上通过光刻刻蚀，间隔注入N型杂质与P型杂质...
陈万军刘亚伟夏云刘承芳陶宏刘杰张波
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一种双沟道MOS栅控晶闸管及其制造方法
本发明涉及功率半导体技术领域，具体的说是一种双沟道MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明主要是在相同元胞宽度下增加多晶硅栅极的密度，从而在不改变掩膜版数目的情况下，增加栅极密度，从而增加了栅电容，减小栅极电压振荡，避免了栅...
陈万军刘承芳刘亚伟陶宏刘杰张波
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一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器
本发明属于电子技术领域，具体的说是涉及一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器。本发明的主要包括由直流电源、CS‑MCT(M1)和负载构成的主回路和由直流电源、电容C、电感L、CS‑MCT(M2)、二极管(D1和D2)...
陈万军陶宏刘亚伟刘承芳刘杰
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一种场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管制备方法
发明提供一种场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制备方法。本发明的方法包括：在一块N型半导体硅片上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层；在形成的FS层上通过离子注入P型杂质并退火制作P型透明集电区；在形成的透明集电区上...
陈万军刘亚伟刘承芳陶宏刘杰张波
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一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法
本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。其方法包括：提供一块相对低电阻率的N型硅片，在N型硅片上方外延形成相对高电阻率的外延层；在形成的外延层上方完成器件的正面制作工序；将硅片减薄至设计厚度；清洗硅片，背面离子注入...
陈万军刘亚伟陶宏刘承芳刘杰张波
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一种功率器件封装结构及封装方法
本发明涉及一种功率器件封装结构及封装方法及封装方法，本发明功率器件封装结构包括芯片槽、与芯片槽一体的是可以单独用作一个电极的金属外壳、通过环形绝缘层固定在金属外壳的侧下方的引脚，以及用于器件密封的金属盖板。本发明的金属管...
陈万军刘亚伟唐血峰娄伦飞陶虹刘承芳刘杰张波
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共2页<12>
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