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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇调制
  • 2篇调制器
  • 2篇硅基
  • 1篇探测器
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇重掺杂
  • 1篇子系统
  • 1篇接触区
  • 1篇介质层
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇中兴通讯股份...

作者

  • 2篇华锋
  • 2篇许鹏
  • 2篇王言
  • 2篇吴东平
  • 2篇付超超
  • 1篇张琦
  • 1篇王会涛

年份

  • 2篇2016
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种硅基光电子系统的制备方法
本发明实施例公开了一种硅基光电子系统的制备方法,其特征在于,所述硅基光电子系统包括第一基底;所述方法包括:在所述第一基底的第一区域上形成光波导子区域以及调制器子区域;在所述第一基底的第二区域上形成探测器子区域;在具有所述...
华锋张琦吴东平许鹏付超超王言
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一种硅基调制器及其制备方法
本发明公开了一种硅基调制器,所述硅基调制器包括:第一重掺杂接触区和第二重掺杂接触区,以及由第一型掺杂区和第二型掺杂区组成的调制臂工作区,所述第一重掺杂接触区和第二重掺杂接触区分别位于所述调制臂工作区的左右两侧,所述第一重...
华锋王会涛许鹏吴东平付超超王言
文献传递
共1页<1>
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