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钮伟

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电子学
  • 2篇衍射
  • 2篇退火
  • 2篇气体
  • 2篇钆镓石榴石
  • 2篇微加工
  • 2篇微加工工艺
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米片
  • 2篇化学计量
  • 2篇化学计量比
  • 2篇激光分子束外...
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子学
  • 2篇光伏器件
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇高温退火
  • 2篇Γ相

机构

  • 8篇南京大学

作者

  • 8篇钮伟
  • 7篇王学锋
  • 4篇张荣
  • 4篇徐永兵
  • 2篇刘晨晨
  • 2篇高明
  • 2篇陈业全
  • 1篇李焱

年份

  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种高质量的拓扑半金属InBi生长方法
本发明公开了一种利用高温回转炉生长高质量拓扑半金属InBi单晶的方法，块体是In、Bi元素以1:1化学计量比形成的化合物，是具有第二类狄拉克点的拓扑半金属材料，通过低场磁输运测试，块体单晶具有大的载流子浓度1018cm‑...
王学锋李焱张敏昊钮伟
文献传递
一种可弯曲的超大不饱和磁阻材料制备方法及制备的材料
本发明公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以1:2化学计量比形成的化合物，它是一种半金属材料，具有巨大的不饱和磁...
王学锋高明钮伟徐永兵张荣
一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法
本发明公开了一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,纳米片的制备方法是化学气相沉积(CVD)技术，在46Pa附近的本底真空下，通过高纯氩气作为载体，在恒定温度的衬底上进行生长，之后再在氩气氛围下进行退火。本发明所得到的γ‑I...
王学锋刘晨晨张敏昊钮伟
文献传递
关联氧化物薄膜体系的新物性及离子液体电场调控的研究
随着电子信息产业的飞速发展,传统半导体产业由于摩尔定律的终结及功耗问题面临着巨大挑战。关联氧化物体系作为电子学发展的前沿领域备受关注,它主要利用新的材料体系及其人工微结构的设计,探索新的物理原理来制备新型的低功耗电子器件...
钮伟
关键词：锰氧化物二维电子气
文献传递
一种钇铁石榴石薄膜的外延生长方法
钇铁石榴石薄膜的外延生长方法，将装有处理好的钆镓石榴石基片的置真空腔室，并将钆镓石榴石基片加热到恒定温度736℃；加热过程中，加热到250℃的时候通入臭氧；加热至736℃之后，保持真空腔气压，将臭氧的质量分数调节至40％...
王学锋陈业全钮伟徐永兵张荣
文献传递
一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法
本发明公开了一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,纳米片的制备方法是化学气相沉积(CVD)技术，在46Pa附近的本底真空下，通过高纯氩气作为载体，在恒定温度的衬底上进行生长，之后再在氩气氛围下进行退火。本发明所得到的γ‑I...
王学锋刘晨晨张敏昊钮伟
文献传递
一种可弯曲的超大不饱和磁阻材料制备方法及制备的材料
本发明公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以1:2化学计量比形成的化合物，它是一种半金属材料，具有巨大的不饱和磁...
王学锋高明钮伟徐永兵张荣
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一种钇铁石榴石薄膜的外延生长方法
钇铁石榴石薄膜的外延生长方法，将装有处理好的钆镓石榴石基片的置真空腔室，并将钆镓石榴石基片加热到恒定温度736℃；加热过程中，加热到250℃的时候通入臭氧；加热至736℃之后，保持真空腔气压，将臭氧的质量分数调节至40％...
王学锋陈业全钮伟徐永兵张荣
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