您的位置： 专家智库 > >

武娴

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇氮化
  • 4篇氮化物
  • 4篇导体
  • 4篇晶体管
  • 4篇化物
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体结构
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇界面层
  • 2篇热氧化
  • 2篇铝元素
  • 2篇晶体
  • 2篇半导体晶体
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘层
  • 1篇非极性
  • 1篇衬底

机构

  • 4篇清华大学

作者

  • 4篇王敬
  • 4篇武娴
  • 2篇郭磊
  • 2篇肖磊

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管
本发明提出了制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管。该方法包括：提供氮化物半导体层；在所述氮化物半导体层的上表面设置界面层，所述界面层含有铝元素；在所述氮化物半导体层上设置第一介质层，所述第一介质层是通过对所述界...
王敬武娴肖磊
文献传递
半导体结构、形成方法以及场效应晶体管
本发明公开了半导体结构、形成方法以及场效应晶体管。该半导体结构包括：半导体层，所述半导体层上表面的至少一部分是由氮化物半导体晶体形成的非极性面或者半极性面；绝缘层，所述绝缘层形成在所述非极性面或半极性面上，并且所述绝缘层...
武娴郭磊王敬
文献传递
制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管
本发明提出了制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管。该方法包括：提供半导体层；在所述半导体层的上表面设置界面层，所述界面层为含铝元素的氮化物；在所述半导体层上设置第一介质层，所述第一介质层是通过对所述界面层进行热...
武娴王敬肖磊
文献传递
半导体结构、形成方法以及场效应晶体管
本发明公开了半导体结构、形成方法以及场效应晶体管。该半导体结构包括：衬底，所述衬底上表面的至少一部分是由氮化物半导体晶体形成的非极性面或者半极性面；界面层，所述界面层形成在所述非极性面或半极性面上，并且所述界面层是由选自...
武娴郭磊王敬
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0