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王国强
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10
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供职机构:
中国科学院福建物质结构研究所
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相关领域:
理学
金属学及工艺
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合作作者
姜小明
中国科学院福建物质结构研究所
郭国聪
中国科学院福建物质结构研究所
吴立明
中国科学院福建物质结构研究所
吴新涛
中国科学院福建物质结构研究所
陈玲
中国科学院福建物质结构研究所
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中国科学院福...
作者
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王国强
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郭国聪
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姜小明
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陈玲
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吴新涛
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吴立明
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曾卉一
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一种晶体生长装置
本发明公开了一种晶体生长装置,包括:炉体;用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛,所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置,以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降,进而控制待加热原...
陈玲
王国强
吴立明
吴新涛
文献传递
单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>晶体的气相生长方法、晶体生长装置
本申请公开了一种单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>晶体的气相生长方法,包括以下步骤:将含有Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>多晶原料、传输剂和单斜相Ga<Sub>2</Sub...
郭国聪
王国强
刘彬文
姜小明
文献传递
一种晶体生长装置
本发明公开了一种晶体生长装置,包括:炉体;用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛,所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置,以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降,进而控制待加热原...
陈玲
王国强
吴立明
吴新涛
文献传递
单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的物理气相生长方法及生长装置
本申请公开了一种单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的物理气相生长方法及其生长装置。单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的物理气相生长方法,包括以下步骤:将含有Ga...
郭国聪
王国强
刘彬文
姜小明
一种可视化CVT硫化物晶体生长装置与方法
本申请公开了一种适用于单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的可视CVT晶体生长装置与方法,属于单晶生长技术领域。将含有Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>多晶原料和ICl<S...
郭国聪
王国强
刘彬文
姜小明
文献传递
Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的制备方法、铁电材料、压电器件及热电器件用
本申请公开了一种铁电单晶的制备方法,将含有Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>粉末的原料在真空条件下进行加热,高温保温,然后以0.1~100℃/天的速率降温进行晶体的生长,得到所述Ga<Sub>2</S...
刘彬文
郭国聪
王国强
姜小明
曾卉一
徐忠宁
王观娥
一种Ba<Sub>3</Sub>P<Sub>3</Sub>O<Sub>10</Sub>Cl单晶的生长方法
本发明公开了一种Ba<Sub>3</Sub>P<Sub>3</Sub>O<Sub>10</Sub>Cl单晶的生长方法,包括:1)采用BaCO<Sub>3</Sub>与NH<Sub>4</Sub>H<Sub>2</Sub>...
陈玲
王国强
吴立明
吴新涛
文献传递
单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的物理气相生长方法及生长装置
本申请公开了一种单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的物理气相生长方法及其生长装置。单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的物理气相生长方法,包括以下步骤:将含有Ga...
郭国聪
王国强
刘彬文
姜小明
文献传递
一种Ba<Sub>3</Sub>P<Sub>3</Sub>O<Sub>10</Sub>Cl单晶的生长方法
本发明公开了一种Ba<Sub>3</Sub>P<Sub>3</Sub>O<Sub>10</Sub>Cl单晶的生长方法,包括:1)采用BaCO<Sub>3</Sub>与NH<Sub>4</Sub>H<Sub>2</Sub>...
陈玲
王国强
吴立明
吴新涛
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Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>单晶的制备方法以及该单晶在铁电材料、压电器件及热电器件中的应用
本申请公开了一种铁电单晶的制备方法,将含有Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>粉末的原料在真空条件下进行加热,高温保温,然后以0.1~100℃/天的速率降温进行晶体的生长,得到所述Ga<Sub>2</S...
刘彬文
郭国聪
王国强
姜小明
曾卉一
徐忠宁
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