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江帅

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：国家纳米科学中心更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇实验环境
  • 4篇纳米
  • 2篇氮化镓
  • 2篇硫化
  • 2篇硫化钼
  • 2篇纳米薄片
  • 2篇纳米管
  • 2篇纳米管阵列
  • 2篇还原性气氛
  • 2篇二硫化碳
  • 2篇二硫化钼
  • 2篇镓
  • 1篇片层
  • 1篇气态
  • 1篇气相沉积
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇硫

机构

  • 4篇国家纳米科学...

作者

  • 4篇贺蒙
  • 4篇李建业
  • 4篇江帅
  • 2篇殷雄

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种二硫化钼纳米薄片及其制备方法
本发明涉及一种二硫化钼纳米薄片及其制备方法。在惰性气氛中，将硫源与钼源蒸汽接触并进行化学气相沉积，以在衬底上形成竖立的二硫化钼纳米薄片；所述化学气相沉积的反应条件为：反应温度为690～750℃，反应时间为5～60min。...
江帅贺蒙殷雄李建业
文献传递
一种内径可控的多孔单晶氮化镓微/纳米管阵列及其制备方法
本发明涉及一种内径可控的多孔单晶氮化镓微/纳米管阵列及其制备方法。在还原性气氛下，将镓源与氮源接触，反应生成的氮化镓气态分子以氧化锌微/纳米线阵列为模板外延生长出内径可控的多孔单晶氮化镓微/纳米管阵列。所述外延生长的反应...
江帅贺蒙李建业
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一种二硫化钼纳米薄片及其制备方法
本发明涉及一种二硫化钼纳米薄片及其制备方法。在惰性气氛中，将硫源与钼源蒸汽接触并进行化学气相沉积，以在衬底上形成竖立的二硫化钼纳米薄片；所述化学气相沉积的反应条件为：反应温度为690～750℃，反应时间为5～60min。...
江帅贺蒙殷雄李建业
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一种内径可控的多孔单晶氮化镓微/纳米管阵列及其制备方法
本发明涉及一种内径可控的多孔单晶氮化镓微/纳米管阵列及其制备方法。在还原性气氛下，将镓源与氮源接触，反应生成的氮化镓气态分子以氧化锌微/纳米线阵列为模板外延生长出内径可控的多孔单晶氮化镓微/纳米管阵列。所述外延生长的反应...
江帅贺蒙李建业
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