2025年1月24日
星期五
|
欢迎来到贵州省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
訾慧
作品数:
8
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国科学院福建物质结构研究所
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
福建省自然科学基金
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
王凌华
中国科学院福建物质结构研究所
薛正群
中国科学院福建物质结构研究所
林中晞
中国科学院福建物质结构研究所
苏辉
中国科学院福建物质结构研究所
林琦
中国科学院福建物质结构研究所
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
7篇
专利
1篇
期刊文章
领域
2篇
电子电信
主题
8篇
发光
8篇
辐射发光
8篇
超辐射
6篇
光谱
6篇
二极管
6篇
发光二极管
6篇
超辐射发光二...
4篇
低抖动
4篇
宽光谱
3篇
量子
3篇
量子点
3篇
晶向
3篇
波导
2篇
亚波长
2篇
源区
2篇
谱特性
2篇
解离
2篇
回路
2篇
脊波导
2篇
光场
机构
8篇
中国科学院福...
作者
8篇
苏辉
8篇
林中晞
8篇
薛正群
8篇
王凌华
8篇
訾慧
7篇
陈阳华
7篇
林琦
4篇
周东豪
2篇
徐玉兰
2篇
陈景源
2篇
林乐
传媒
1篇
红外与激光工...
年份
2篇
2018
3篇
2017
3篇
2016
共
8
条 记 录,以下是 1-8
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种含侧边吸收区的超辐射发光管
本实用新型涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管,包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区,在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区,侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本实用新型利用侧边吸收区所...
周东豪
林琦
林中晞
苏辉
薛正群
陈阳华
王凌华
訾慧
徐玉兰
陈景源
林乐
文献传递
一种超辐射发光二极管的制作方法及制得的发光二极管
本发明涉及一种超辐射发光二极管的制作方法,包括以下步骤:一次外延片的生长步骤、形成脊的步骤、掩埋的步骤、形成P面电极金属的步骤、形成N面电极金属的步骤、解离的步骤,从而制得超辐射发光二极管。本发明还提出一种由所述制作方法...
薛正群
苏辉
周东豪
訾慧
王凌华
林琦
林中晞
陈阳华
文献传递
一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法
本发明涉及一种量子点超辐射发光二极管的制作方法,该方法包括以下步骤:一次外延生长步骤:采用MBE生长一次外延结构,其结构沿晶向依次包括N<Sup>+</Sup>‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlG...
訾慧
薛正群
苏辉
王凌华
林琦
林中晞
陈阳华
文献传递
1550nm宽光谱超辐射发光二极管的研制
被引量:3
2018年
超辐射发光二极管因其宽光谱低抖动的光谱特点以及输出光为非相干光的特性,在光学相干层析成像技术、光处理技术等领域具有重要应用。为获得宽光谱低抖动的超辐射输出光,设计并制备了一种1 550 nm AlGaInAs多量子阱超辐射发光二极管。采取倾斜12°波导并增加隔离区,结合抗反射薄膜,最终实现宽光谱输出的超辐射发光二极管,并比较了有无隔离区对器件性能的影响。实验结果表明,制得的超辐射发光二极管3 dB光谱宽度可拓宽至83 nm,光谱纹波小于0.1 dB,在200 mA工作电流下,出光功率大于1.5 mW。
訾慧
薛正群
王凌华
林中晞
苏辉
关键词:
超辐射发光二极管
隔离区
一种含侧边吸收区的超辐射发光管
本发明涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管,包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区,在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区,侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本发明利用侧边吸收区所具有的光...
周东豪
林琦
林中晞
苏辉
薛正群
陈阳华
王凌华
訾慧
徐玉兰
陈景源
林乐
文献传递
一种量子点超辐射发光二极管
本实用新型涉及一种量子点超辐射发光二极管,包括:一次外延结构和掩埋异质结结构,一次外延结构包括:沿晶向依次设置的N<Sup>+</Sup>‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlGaAs覆盖层(3)、A...
訾慧
薛正群
苏辉
王凌华
林琦
林中晞
陈阳华
文献传递
一种超辐射发光二极管的制作方法及制得的发光二极管
本发明涉及一种超辐射发光二极管的制作方法,包括以下步骤:一次外延片的生长步骤、形成脊的步骤、掩埋的步骤、形成P面电极金属的步骤、形成N面电极金属的步骤、解离的步骤,从而制得超辐射发光二极管。本发明还提出一种由所述制作方法...
苏辉
薛正群
周东豪
訾慧
王凌华
林琦
林中晞
陈阳华
一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法
本发明涉及一种量子点超辐射发光二极管的制作方法,该方法包括以下步骤:一次外延生长步骤:采用MBE生长一次外延结构,其结构沿晶向依次包括N<Sup>+</Sup>‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlG...
訾慧
薛正群
苏辉
王凌华
林琦
林中晞
陈阳华
文献传递
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张