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李奎龙

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：深圳大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇SUB
  • 3篇吸波
  • 3篇吸波材料
  • 3篇硫化
  • 3篇硫化钼
  • 3篇复合吸波
  • 3篇复合吸波材料
  • 3篇衬底
  • 2篇电磁性能
  • 2篇氧化石墨
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇四氧化三铁
  • 2篇探测器
  • 2篇无机纳米
  • 2篇硫粉
  • 2篇膜材料
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米薄膜材料
  • 2篇介电

机构

  • 12篇深圳大学

作者

  • 12篇刘新科
  • 12篇李奎龙
  • 11篇吕有明
  • 11篇俞文杰
  • 9篇贾芳
  • 9篇韩舜
  • 9篇柳文军
  • 9篇朱德亮
  • 9篇曹培江
  • 9篇曾玉祥
  • 8篇陈乐
  • 8篇何祝兵

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 7篇2017
  • 3篇2016
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
以GaN为衬底制备二硫化钼薄膜的方法
本发明适用于无机纳米膜材料技术领域，提供了一种以GaN为衬底制备二硫化钼薄膜的方法，以GaN为衬底，使用CVD法在所述衬底表面生成MoS<Sub>2</Sub>薄膜；所述生成MoS<Sub>2</Sub>薄膜的过程为：以...
刘新科李奎龙何佳铸陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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一种石墨烯/四氧化三铁复合吸波材料及其制备方法
本发明适用于吸波材料领域，提供了一种石墨烯/四氧化三铁复合吸波材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：制备氧化石墨烯分散液、FeCl<Sub>2</Sub>溶液及FeCl<Sub>3</Sub>溶液；将上述三种液体混...
刘新科刘睿李奎龙何佳铸陈乐何祝兵俞文杰吕有明洪家伟
Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>MXene/聚合物复合吸波材料的制备方法
本发明公开了一种Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>MXene/聚合物复合吸波材料的制备方法，其使用溶液刻蚀和复合的方法就制备出了高效的Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>MXene/...
刘新科刘睿李奎龙顾虹吕有明俞文杰韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮
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一种石墨烯/四氧化三铁复合吸波材料及其制备方法
本发明适用于吸波材料领域，提供了一种石墨烯/四氧化三铁复合吸波材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：制备氧化石墨烯分散液、FeCl<Sub>2</Sub>溶液及FeCl<Sub>3</Sub>溶液；将上述三种液体混...
刘新科刘睿李奎龙何佳铸陈乐何祝兵俞文杰吕有明洪家伟
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一种Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>二维材料的制备方法
本发明公开了一种Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>二维材料的制备方法；本发明制备了Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>MXene薄膜材料，经过加热氧化...
刘新科刘睿李奎龙顾虹吕有明俞文杰韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮
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一种GaN‑MoS<Sub>2</Sub>分波段探测器及其制备方法
本发明适用于半导体器件领域，提供了GaN‑MoS<Sub>2</Sub>分波段探测器，包括：GaN衬底；附在所述衬底一面上的GaN材料层；附在所述衬底的与所述GaN材料层相对的另一面上的MoS<Sub>2</Sub>材料...
刘新科李奎龙何佳铸陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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一种环栅结构场效应晶体管及其制备方法
本发明适用于半导体器件，提供了一种环栅结构场效应晶体管，包括衬底、沉积在所述衬底上的二氧化硅层、分别沉积在所述二氧化硅层上的栅极、源极和漏极，所述栅极包括有源层、包围所述有源层的绝缘层及包围所述绝缘层的金属层，所述绝缘层...
何佳铸刘新科李奎龙陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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一种分波段探测器及其制备方法
本发明公开了一种分波段探测器及其制备方法，该分波段探测器包括：SiC衬底、附于所述SiC衬底两侧的SiC材料层和MoS<Sub>2</Sub>材料层，以及置于所述SiC材料层和MoS<Sub>2</Sub>材料层上的电极...
刘新科洪悦华李奎龙李治文胡聪王佳乐
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基于Fe掺GaN衬底的二硫化钼光电探测器和制备方法
本发明公开了一种基于Fe掺GaN衬底的二硫化钼光电探测器和制备方法，其包括在Fe掺GaN衬底表面生长一MoS2薄膜层；以及在MoS2薄膜层的表面生长一SiO<Sub>2</Sub>层；其中，在MoS2薄膜层上制备两Au欧...
刘新科李奎龙陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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一种基于Ti<Sub>2</Sub>CMXene的电池电极材料的制备方法
本发明公开了一种基于Ti<Sub>2</Sub>C MXene的电池电极材料的制备方法，本发明制备了的Ti<Sub>2</Sub>C MXene薄膜材料，经过插层剥离后，层间距变大，并且材料具有高比表面积、良好的导电性、...
刘新科刘睿李奎龙顾虹吕有明俞文杰韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮
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