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文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇孪晶
  • 3篇封装
  • 2篇电镀
  • 2篇直流电镀
  • 2篇凸点
  • 2篇微机电系统
  • 2篇晶圆
  • 2篇晶圆级封装
  • 2篇互连
  • 2篇互连结构
  • 2篇机电系统
  • 2篇焊料
  • 2篇焊料凸点
  • 2篇电系统
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇三维封装
  • 1篇树脂
  • 1篇树脂基
  • 1篇树脂基体
  • 1篇通孔

机构

  • 3篇中国科学院金...

作者

  • 3篇李财富
  • 3篇刘志权
  • 3篇孙福龙
  • 2篇郭敬东
  • 2篇祝清省

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种定向生长的铜柱凸点互连结构及其制备方法
本发明公开了一种定向生长的铜柱凸点互连结构及其制备方法,属于微电子和微机电系统封装领域。该铜柱凸点互连结构包括晶圆基底、绝缘层、金属盘、介电层、种子层、铜柱和焊料凸点,所述铜柱含有定向生长的纳米孪晶铜组织;在铜柱的顶端设...
刘志权孙福龙李财富祝清省郭敬东
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一种定向生长的铜柱凸点互连结构及其制备方法
本发明公开了一种定向生长的铜柱凸点互连结构及其制备方法,属于微电子和微机电系统封装领域。该铜柱凸点互连结构包括晶圆基底、绝缘层、金属盘、介电层、种子层、铜柱和焊料凸点,所述铜柱含有定向生长的纳米孪晶铜组织;在铜柱的顶端设...
刘志权孙福龙李财富祝清省郭敬东
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一种定向生长纳米孪晶铜的通孔填充方法及其应用
本发明公开了一种定向生长纳米孪晶铜的通孔填充方法及其应用,属于微电子和微机电系统封装领域。该方法首先在基体上制备侧壁绝缘的通孔,并在通孔底端设置含导电薄膜或导电种子层的底板,然后采用直流电镀方式从通孔顶端向通孔内填充纳米...
刘志权孙福龙李财富
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共1页<1>
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